二极体元件中金属与高分子间介电层结构对元件性能的影响.PDFVIP

二極體元件中金屬與高分子間介電層結構對元件性能的影響 胡孝光 賴信凱 台灣科技大學高分子工程研究所 E-mail : sghu100@ Fax : +886-2-2737-6544 一、前言 本研究藉由佈置一層 介電層於元件的電極和發光層界 1,2 3 Parker 等人及Smith 等人分別以具有不同功函數的金 面間 ，並以高功函數的Al作為陰極材料 ，探討不同介電層結 屬做為電極 ，poly(2 -methoxy,5 -(2 ´-ethyl -hexoxy) - 1,4- 構對元件性能的影響 。 phenylene vinylene) (MEH -PPV)做為發光層 ，並藉由 Fowler-Nordheim 穿隧理論及元件電壓電流特性曲線求- 得電 二、實驗方法 荷注入能障 。由結果得知 ，金屬電極與高分子材料界面電位 使用 UV- 1601(Shimadzu) UV-Vis吸收光譜儀偵測 差愈小，電荷注入能障愈小且元件起始電壓愈低 。為了有效 MEH-PPV高分子 (Mn= 70,000 g/mol)在溶液態(5x10-3 mg/ml) 4 5,6 的將電荷注入導電性高分子中 ，文獻利用自組裝或蒸鍍 及固態的 UV-Vis吸收光譜後使用 Series 2 spectrofluorometer 方式在導電性高分子及金屬電極間添加一層薄的介電物質 (Aminco-Bowman) 光激發光光譜儀 ，將激發波長設定在 改善電荷注入效果 ，其實驗結果皆顯示元件起始電壓因而降 MEH-PPV有最大吸收率之波長分別偵測溶液態及固態的光 低且元件效率隨之增加 。 激發光譜 。另外 ，藉由 FL900 time-correlated photon counting Zhao7 等人分別以O 及 H -plasma改變 ITO 玻璃功函 system (Edingburgh)量測 MEH-PPV固態時間解析光譜 ，其 2 2 數 ，並在ITO 玻璃與 NPB界面間加入不同厚度 LiF ，探討 激發脈衝半寬為 1.5-2.5 ns ，激發波長設定為固態 MEH-PPV 介電層厚度對元件電洞注入效率的影響 。Kim 8 等人以 高分子最大吸收率波長 504 nm ，每次脈衝只記錄波長 586 L a n g m u i r - B l o d g e t t 法製作不同厚度 P o l y ( m e t h y l nm的螢光光子 。 methacrylate)(PMMA) 介電層於 MEH-PPV及 Al 陰極之間以 元件製作是將5mg/ml的 MEH-PPV甲苯/ 溶液 ，以轉速 增進元件效率 。Li 9 等人以先蒸鍍Al再氧化方式製作不同 1200 rpm 將溶液塗佈於 ITO 玻璃上 。PMMA 介電層製作是 厚度氧化鋁 介電層於 Alq3及 Al 陰極之間以增進元件效率。 將濃度為0.1 mg/ml的 PMMA/ 乙酸乙酯溶液，分別以轉速 上述文獻實驗結果皆顯示 介電層厚度有 一臨界值 ，若加入 介 5000 rpm 、5500 rpm 旋轉塗佈於已塗佈MEH–PPV的 ITO 電層使電荷 注入能障變小，其元件起始電壓因而降低，電荷