绕射式相位移光学微影技术之实现.pdf

行 精 類 行 年年 行 立 北 參理 理 理 理 理 論 理 利 年 年 成 果 報 告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 繞射式相位移微影技術之實現 計畫類別： 個別型計畫 □ 整合型計畫 計畫編號： NSC 96－2221－E－027－056－ 執行期間： 96 年 08 月 01 日至 97 年 07 月 31 日 計畫主持人： 徐 巍 峰 共同主持人： 計畫參與人員： 陳郁文、邱揚智、施嘉博、戴嘉呈、范姜智勇 成果報告類型(依經費核定清單規定繳交)：精簡報告 □完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、 列管計畫及下列情形者外，得立即公開查詢 涉及專利或其他智慧財產權，□一年□二年後可公開查詢 執行單位： 中 華 民 國 97 年 10 月 28 日 （一） 計畫中文摘要。（五百字以內） 本計畫主要之目的在建構以繞射光學元件(Diffractive optical element, or DOE)為關鍵的 遠場相位微影技術 (Far-field phase-shift lithography, or FPL)之理論基礎與基本架構。這是一 個嶄新的想法，目前在國際期刊上還沒有任何相似之研究發表，遠場相位微影技術的原理 是設計一個繞射元件，使其遠場的繞射光場分佈和由相位偏移光罩 (Phase-shift mask, or PSM)在近場的光場分佈相似，利用這個遠場的繞射光分佈進行負光阻的曝光，以取代傳統 光微影技術中所用之鍍鉻光罩。PSM和傳統光罩的使用法相同，已被證明具有產生小於操 作波長的特徵圖形之能力。 FPL的系統架構相似於無光罩微影技術 (Maskless lithography, or ML) ，但FPL 採用的是傅立葉光學系統，而非 ML的光學成像系統。 FPL兼具 PSM的微顯 像功能和 ML的動態功能。 FPL的關鍵是 DOE ，在此，DOE在遠場信號區產生的是振幅為 1 、相位差為的光場π 分佈，其相位分佈決定於所設計的元件或結構。因為信號區內繞射點的振幅和相位均為定 值，設計時必須加入額外的自由度方得有解，本計畫將採幌子區 (Dummy area)的方法，在 信號區外圍加上一層繞射點，藉以對信號區內的繞射點產 生干涉作用，以減低信號之均方 根誤差、提高信號之均勻度、卻又不致降低過多的繞射效 率。我們將以遞迴傅立葉演算法 和模擬退火法尋找最佳解，然而，運算過