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31 10 Vol31 No10
2002 10 A CT A PH OT ONI CA SINI CA O ctober 2002
ZnO *
1 2 2 2
杨晓东 张景文 邹 玮 侯 洵
( 1 , 710069)
( 2 , 71006 8)
采用直流反应溅射法分别在S ( 111) , S ( 00 1) , 及K4 玻璃衬底上制备ZnO 薄 , 研究
了氧氩比衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影响, 发现生长过程中的退火处理提高
了薄 质量和晶面取向通过优化生长条件, 在衬底温度为350 , 氧氩比为 12 的条件下生
长出了XRD 半高宽为01C 轴取向高度一致的ZnO 薄
ZnO; 直流反应溅射; X RD
0
ZnO , , H F
337eV , 1m n ,
, ZnO
1
60meV ,
GaN , S C ZnO
, 10- 4 Pa,
2 99999% , 100mm,
.
ZnO , 3mm
( CV D) 3, 4 ( PL D) 5 , - , ,
( M OCV D) 6 , ( MBE) 7 , 13~ 1. 5P a
8~ 11 , 10m n,
,
, , 1
1
, ( ) ( m n) (Pa)
4# 300 60 1: 3 1. 3
ZnO 5# 350 60 1: 3 1. 3 10m n
11# 350 60 1: 4 1. 3 10m n
, 12# 350 60 1: 3 1. 3 10m n
, 13# 350 60 1: 2 1. 3 10m n
14# 300 60 1: 2 1. 5
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