高k介质在新型半导体器件中的应用.pdfVIP

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2019-02-04 发布于天津
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高k介质在新型半导体器件中的应用.pdf

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高k介质在新型半导体器件中的应用

Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 13 (2012) 137701 k * 1) 2)† 2) 2) 2) 1) ( , 100191 ) 2) ( , 100191 ) ( 2011 10 19 ; 2011 12 5 ) CMOS 45 nm , SiO2 , k SiO2 . , k , , . k , k , . : k , FinFET, , PACS: 77.55.+f k ; , 1 , ; , MOSFET , , ; , . MOS , k Si , , C-V , MOSFET , [1,2] . k , , (equivalent , Al O , TiO , oxide thickness, EOT). 45 nm 2 3 2 HfO2 ZrO2 , HfO2 Hf , SiO2 , , k SiO2 , 45 nm . , [1]. k SiO , EOT 2 k 2 , . k 2.1 k 20 , SiO2 5 , SiO2 2 3 . , k SiO2 k SiO2 , k , , : Si , k , k Si . * (: (NCET-08-0029) . E-mail: aphuang@ c 2012 Chinese Physical Society 137701-1 Acta Phys.