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版图学习 一． MOS 管工艺 （1） 普通MOS 管 这种结构很容易和多晶硅电阻混淆，判别方法是： 1．多晶硅是否放置在有源区上面； 2 ．看多晶硅有几个端口引出。 高宽长比 MOS 器件： （2 ） 叉指MOS 管 叉指 MOS 管判断的关键是看多晶硅层，观察它有几个输入。 （3 ） 耐高压MOS 管 该晶体管为 Extended-Drain, High-Voltage transistor ，为非自对准工艺，版图 示意如上。这种晶体管使用 n 阱作为轻掺杂的漏极。 这种结构为源漏不对称的 MOS 管，具体实现高压原理不是很清楚。 （4 ） 功率开关MOS 管 版图上的一半面积都用来做电路中的一个关键器件——功率开关 MOS ，版 图示意如上。源漏区域为矩阵结构，且漏极也做在n 阱中，为非自对准工艺，因 此判断这个晶体管是 waffle transistor 和 Extended Drain HV transistor 的结合，可 承受高压大电流。 另外，在版图中，NMOS 和 PMOS 可通过如下规则判断： 1、对于数字电路，CMOS 中的P 管 W/L 大，N 管 W/L 小 2 、源极接Vdd 的一般为PMOS ，接Vss 的一般为NMOS 3、模拟电路不完全服从以上规律。可结合电路结构来分析。如差分放大器尾电 流接 Vss ，则差分对及尾电流 MOS 器件为 NMOS ，负载管则可以基本判定为 PMOS 二． BJT 工艺 基本规则：从版图上来看，晶体管的集电极和发射极具有相同的颜色。 BJT 工艺一般分为 VNPN 和 LPNP 两种工艺，其中 VNPN 又分两种：Standard VNPN 和 double-base VNPN （1） VNPN （2 ） double-base VNPN （3 ） LPNP 其他形式的版图： （4 ） LNPN 这种结构与一般 VNPN 结构的区别在于，后者一般是用 P-SUB 制作，而它 采用的是 N-SUB ，P-WELL 的工艺。 在版图中，NPN 管和 PNP 管可通过如下规则判断：纵向管：除极特殊的情 况外，NPN 管的 C 极接向电源正极，PNP 的C 极接向电源负极。NPN 管小尺寸 管，PNP 往往为大尺寸横向或纵向管。 三． BICMOS 工艺 1．CMOS 工艺的 NPN 管 与标准 CMOS 相比，增加一个低浓度 P 区，在 N 阱中形成 NPN 的基区， P+有源作基极引出，N+有源作 NPN 发射极，集电极扩展隔离，通过 N+ plug 深 扩展，既构成集电极引出塞子，又形成隔离槽。这是双阱双埋层结构。 2 ．GC-LCPNP 将传统的 PNP 的 E，也就是发射极用 poly gate 包围起来，形成类似 PMOS 的结构，symbol如图右所示。 加这个 gate 的要求是VgVeVb ，通常Vg 不应小于 Ve ，如果比Ve 还小， 就无法工作了，所以强调 Vg=Ve) 。 • 假设Vg太小，即加在PMOS的gate的加压，会导致PMOS导通，进而使V e接近于Vc(饱和 ) • 参照PNP的工作原理 (类似共集电极)，可参照下面剖面图进行分析。(V eVbVc，EB正偏，BC反偏)（forward） • 分析后可以得出, 类似PMOS结构必须截止!! o E( ) B( ) 但不等于将 发射极 切断，反而是电子积聚在 基极 ，从而加 大从 E 到 B 的电场作用，并使基极浓度加大，电子经过基极时间 减少，迅速到达发射极。 o 如此分析得出结论，此种结构增强了PNP的工作性能，并能在受影 响的环境中工作正常，这也是现在大家愿意采用这种结构的原由所 在。 四． 二极管工艺 通常二极管是