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第9章 工艺集成 IC制造工艺流程 — 原始材料：抛光晶片 — 薄膜成型：外延膜、电介质膜、 多晶硅膜、金属膜，氧化膜 — 掺杂与光刻：扩散、注入、各种光刻 — 刻蚀：湿法与干法 — IC芯片：图形转换到晶片 IC芯片与集成度 — 小规模集成电路SSI：元件数 个 — 中规模集成电路MSI：元件数 个 黄君凯 教授 图9-1 IC制造流程 — 大规模集成电路LSI：元件数 个 — 超大规模集成电路VLSI：元件数 个 — 特大规模集成电路ULSI：元件数 个 黄君凯 教授 图9-2 晶片与单个元件 9.1 无源元件 9.1.1 集成电路电阻器 （1）工艺方法 — 淀积有阻抗作用的膜层，再经光刻和刻蚀形成电阻器。 — 在衬底上掺杂导电类型相反的杂质，形成电阻器。 黄君凯 教授 图9-3 集成电阻器 （2）电阻计算 对上图长宽分别为L和W的直条型电阻器，在深度x处的微分截面 为 ，则与表面平行的P型硅薄层电导 为 式中 和 分别是空穴迁移率和x处掺杂浓度。对结深 的电阻器， 令一个方形电阻的电导为： ，（9-1） 则当L=W 时，G=g，因此电阻值为： ，（9-2） 式中 称为方块电阻，单位为 ，则： ，（9-3） 黄君凯 教授 【讨论】 式（9-1）表明：掺杂工艺决定方块电阻 。 式（9-3）表明： 值确定以后，电阻值取决与图形尺寸。 端头接触处阻值为0.65 ，拐角处阻值也为0.65 。 9.1.2 集成电路电容器 — MOS电容器：重掺杂材料构成电容器的下电极，既减少串联电阻，又 使MOS电容量与外加电压无关。 — PN结电容器：反偏作用导致电容量随偏压变化，且串联电阻较高。 黄君凯 教授 黄君凯 教授 图9-4 集成电路电容器 9.1.3 集成电路电感器 （1）工艺方法 黄君凯 教授 图9-5 螺旋电感器 （2）品质因子 （9-4） 式中R为电感器阻值， 为频率，平板型螺旋电感器的电感L为： （9-5） 式中 为真空磁导率，n为旋转圈数，r为螺旋半径，L是以亨利为单位 的电感量。 【讨论】提高 值方法 使用低介质常数材料（3.9），减少金属线与衬底耦合电容 。 使用厚膜金属或低阻值金属，减小金属线的固有电阻 。 使用绝缘衬底，减小硅衬底电阻 。 黄君凯 教授 9.2 双极晶体管技术 双极晶体管结构 【注意】埋层：提供电流的低阻值通道和反偏隔离。 黄君凯 教授 图9-6 集成电路中的双极晶体管 双极晶体管的隔离：结隔离和氧化物隔离 黄君凯 教授 图9-7 双极晶体管隔离方法