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项目一二极管的认知及应用 1.1半导体的基本知识 1.1.1导体、半导体和绝缘体 物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，导电能力很强的物质称为 导体，如铜、铝等金属。导电能力很弱的物质称为绝缘体，如鴉料、玻璃等。导电能力介于 导体和绝缘体之间的物质称为半导体。常用的半导体材料是硅（Si）和错（Ge），其中硅用 的最为广泛。 1.1.2本征半导体和杂质半导体 1.本征半导体 木征半导体就是纯净的不含杂质的半导体。 常用的半导体材料硅（Si）和错（Ge）都是四价元索，正常情况下都是晶体。在原子结构 屮，最外层轨道有四个价电子，如图1.1所示。 图1」硅和箔的原子结构简化模型 大量的半导体原子集合到一起，各原子间形成有序的排列，相邻原子是以共价键的形式 结合起来。在绝对温度为零度（0K,相当于-273.15°C）时，由于每个价电了都被共价键束 缚，不能H由移动。这时，本征半导体是不导电的，相当于绝缘体。如图1.2所示。 在室温下，本征半导体中的价电子从外界获取能量挣脱共价键束缚成为口由电子，同吋 在原來的位置上产生一个价电子空位，如图1.3所示。这种电子空位形象地称为“空穴”。 故在本征半导体屮，自由电子和空穴是成对出现的，称之为电子空穴对。这一现象称为本征 激发。电了带负电，空穴带正电，统称为载流了。木征激发出来的自由电了在运动过程屮， 也会再回到公价键位置上填补空穴，使电子空穴对消火，这一过程称Z为复合。 硅原子共价键 图1.2木征半导体的晶体结构图 由于本征激发产生的电子空穴对数冃很少，载流子浓度很低，所以导电性很弱。 图1.3 图1.3木征激发产生电子空穴对示意:图 2.杂质半导体 在木征半导体屮掺入微量的三价元素或五价元素，其导电能力将人人提高（提高几 十万倍以上）。称Z为杂质半导体。例如在本征半导体硅屮掺入微量的五价元素磷，它 用四个价电子耳相邻四个硅原子组成共价键后，还剩余一个电子，这个电子不受共价键 束缚，成为自由电了，如图1.4所示。使掺入磷的硅半导体中，自由电了的数量大大多 于空穴数量，电子成为多数载流子，简称多子，空穴成为少数载流子，简称少子。由于 这种朵质半导体主要靠自山电子进行导电，所以称为电子型半导体，简称N型半导体。 图1.4 N 图1.4 N型半导体的共价键结构图 邻近的电子落入受主的空位? 旳下可移动的空穴在本征半导体硅屮掺入微最的三价元素硼，由于硼原子只有三个价电子，当它与相邻的 四个硅原子组成共价键时，就缺少-?个价电子，形成一个空位。这样，使掺入硼原子的硅半 导体中，空穴的数量大大超过了口由电子的数量。如图1.5所示。空穴是多数载流子，电子 是少数载流了。由于这种杂质半导体主要靠空穴进行导电，所以称为空穴型半导体，简称P 邻近的电子落入受主的空位? 旳下可移动的空穴 可移动的空穴 受主获得一个电子 而形成一个负离子 图1.5 P烈半导体的共价键结构示意图 1.1.3 PN 结 1.PN结的形成 如果在一块硅晶休小，利川一?定的掺杂工艺，分别在一边掺入三价元素硼，另一?边掺入 五价元索磷,半导体两边形成P型半导体和 五价元索磷, 半导体两边形成P 型半导体和N型半导体，如图1.6 (a)所示。 十皱① 十十?? 蠡 一0。一 e°。Qg eo^oe一一一十十呼十. 3Q 十皱① 十十?? 蠡 一0。一 e°。Qg eo^oe 一一 1 1 二 I 内电场 图1.6 PN结的形成 由于木边P区的空穴浓度远大于右边N区，右边N区的电子浓度远大于左边P区，这 种载流子的浓度差，必然引起各自的多子向对方扩散，P区的空穴向N区扩散，N区的电子 向P区扩散，又由于在扩散运动中载流了的复合作用，所以在交界面处形成了不能移动的 正、负离了，P区留下了带负电的负离子，N区昭下了带正电的正离子，形成了空间电荷区, 建立了 PN结电场。方向山N区指向P区。该电场随着扩散运动的进行而不断增强，既空 间电荷区不断变宽。我们称该电场为内电场。内电场的建立会产生两方面的影响，一方面阻 碍着多了扩散运动，另一方而会加强P区屮的电了和N区屮的空穴向对方漂移，当多了扩 散运动和少了漂移运动达到动态平衡时，这个空间电荷区的宽度不冉变化，这时的空间电荷 区称为PN结，如图1.6(b)所示。空间电荷区内也叫耗尽层或势垒层。 2. PN结的单向导电性 PN结具有单向导电性。 外加正向电压 当PN结外加正向电压时，即外电源的止极接P区，负极接N区，在半导体内形成了一 个电场，称之为外加电场，方向FilPlX指向N区，如图1.7所示。在外电场的作川卜，P|x 的空穴和N区的电子向刈方区域运动，当空穴与电子达到空间电荷区后，使P区中的负离 了和N区中的止离了变少，空间电荷区变窄，削弱了内电场，破坏了原来的动态平衡，多