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场发射真空传感器

14 1 Vo.l14, No.1 2008 2 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES Feb., 200 8 :1007 -4252 (2008 )01-0241-05 文尉任, 王凌云, 孙道恒 (厦门大学机电工程系, 厦门 361005 ) :场发射真空传感器是采用 MEMS加工工艺 制 一种新型的基于硅尖阵列场发射原理的微型 真空传感器。通过理论分析, 确立了该种传感器中硅尖场发射电流与真空度的关系。 并利用干法 刻蚀工艺, 在硅片上制作了高 3.2μm, 曲率半径小于 70 nm的 200 ×42 硅尖阵列。保持阳极与硅尖 距离为 1μm的情况下, 可以观察到阳极电压为 10V左右时开始有明显的场发射电流。实验结果表 明, 在 10V-15V的输入电压范围内, 通过测试场发射电流所得到的真空度值, 其最大误差不超过 10%。该真空传感器具有制作简单、易于集成、信号测量容易、自身不带密封腔等优点, 具有潜在的 应用前景和市场潜力。 :硅尖阵列;场发射;真空传感器 :TP2 12  :A Fieldemissionvcuum sensor WENWei-ren, WANGLing-yun, SUNDo-heng (DeprtmentofMechniclndElectriclEngineering, Ximen University, Ximen361005, Chin) Abstrc:tAmicrovcuumsensorbsedonfieldemissionofsilicontipsrryisbroughtforwrdfirstlyby integrtionoftheMEMStechnology.Thereltionbetweenemissioncurrentndpressurehsbeenintro- ducedbytheoreticlnlysi.s200 42 tipsrrywith3.2μmheightndbelow70 nmdimeterhsbeen fbrictedonthesiliconsubstrteusingdryetchingprocess.Keeping1μmdistncebetweenthesilicon tipsndnodeelectrod,e theemissioncurrentcnbeobserved t10V nodevoltge.Fromtestresult,s themicrovcuumsensorhs lowererrorwiththerngeof10-15V, whichlessthn10 percentcnbe chieved.Becusethismicrovcuum sensorischrcterizedofhighsensitivit,y esinessforintegrtion ndnoselingchmberinthesenso,rithsverypromisingpplictionsndpotentilm rke.t Keywords:silicontipsrr;yfieldemission;vcuumsensor :2007-07-20;  :2007-09-22 :(No.5067 5184 );(No.2002H022 ); . :(1964-), , , , (E-m i:lsundh@xmu.edu.cn). 24 2                                    14 , -; 0  1 [ 1]

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