金属和半导体的接触.PPTVIP

半导体物理 李德昌 西安电子科技大学 理学院 第六篇 金属和半导体的接触 1、阻挡层与反阻挡层的形成 2、肖特基势垒的定量特性 3、欧姆接触的特性 §6.1 金属-半导体接触和能带图1、功函数Wm 、Ws与电子亲和势 2、接触电势差 接触前： 接触后： 导带底电子向金属运动时必须越过的势垒的高度： qVD=Wm-Ws （1） 金属一边的电子运动到半导体一边也需要越过的势垒高度： （a） WmWs 电子阻挡层: 金属一边的势垒 半导体一边的势垒 （b） WmWs 电子反阻挡层: （1）WsWm 空穴阻挡层: 接触后： （2）WmWs 空穴反穴阻挡层: 3、表面态对接触势垒的影响 表面态：局域在表面附近的新电子态。 表面能级：与表面态相应的能级称为表面能级。 A、接触前，半导体体内与表面电子态交换电子后 能带弯曲量 qVD=EF0-EFs0 与金属的性能无关 半导体的功函数则变为： B、金属与半导体接触后 §6.2 金-半接触整流理论 加上正向电压(金属一边为正)时： 加上反向电压（金属一边为负）时： （1）扩散理论 xd》ln时，电子通过势垒区将发生多次碰撞。 势垒高度qVD》k0T时，势垒区内的载流子浓度～0 耗尽区 （加上外加电压在金属上） 这种势垒宽度随外加电压的变化而变化的势垒就是Schottky势垒。 讨论： （2）热电子发射理论 xd《ln时，电子通过势垒区的碰撞可以忽略。当电子动能势垒顶部时，电子可以自由越过势垒进入另一边 热电子发射 假设qVD》k0T （b） Jm s （c）总电流密度J 势垒受到镜象力的影响： （1）镜象力——感应电荷对电子产生库仑吸引力 取势能零点在EFm处，考虑附加势能后，电子的有效势能为： 当电子所受到的电场力=镜像力时，有 Vmax=V（xm） （2）隧道电流的影响: （a）隧道效应 决定隧道穿透几率的两个因素： （1）势垒高度 （2）隧道厚度 （2）隧道厚度 当半导体一边的势垒厚度 xxc 时，势垒对电子完全透明 隧道穿透 （b）欧姆接触：I∽V （b1）金属-n型半导体欧姆接触  重掺杂阻挡层 （b2）金属-p型半导体欧姆接触  反阻挡层 4、少子的注入： 3、镜像力和隧道效应的影响 对于金-半接触势垒中的电子，附加势能为： （1）势垒高度 隧道穿透的临界厚度为xc， * * Ec Ev Wm Ws EFm EFs E0 En qVD EF EF Ev Ec xD Ws Wm EFm E0 Ec EFs Ev 接触势垒 Wm-Ws=-q（Vms+Vs） ≌- qVms qVD Ec EF Ev （1）金属-n型半导体接触 3、阻挡层与反阻挡层 Ws Wm Ev Ec E0 EFm EFs EFm EFs Ws Wm Ev Ec E0 （2）金属-p型半导体接触 qVD=Ws-Wm xD EF Ev Ec Ws Wm EFs EFm Ev Ec E0 接触后： xD Ec EF Ev Wm EFm E0 Ws Ec EF0 Wl 表面能级 EFS0 Ev EFm Wl qVD En qVD EFs Wm Wl E0 Ev EF Ec qVD Ec（0） Ec Ev 实际中，EFs0常位于Ev以上1/3Eg处，所以 qVD=-q(Vs)0 xd 1、阻挡层的整流特性——外加电压对阻挡层的作用 qVD1=q[VD-V] qV xd qVD1=q[VD-V] qV EF EF V xd qVD1=q[VD-V] q（-V） xd EF EF qVD1=q[VD-V] q（-V） xd /V/ 2、整流理论 积分 (a) Js m时： * * *