国产晶硅平板pecvd设备的优势.docx

产晶硅平板PECVD设备的优势 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载 源文件到本机查看。 国产晶硅平板PECVD设备的优势 王宝全博士 2010 年 5 月 SNEC 展台位置：W2馆T2136 晶硅平板PECVD设备的技术优势 北方微电子开发平板PECVD设 备的机遇ESSINDTM PECVD设备的竞争优势 confidential 晶硅平板PECVD设备的技术优势 北方微电子开发平板PECVD设 备的机遇ESSINDTM PECVD设备的竞争优势 confidential PECVD设备在晶硅太阳能电池制程中的应用 PECVD （等离子体增强化学气相沉积）是利用等离子体特性来控 制或影响气相反 应和材料表面的化学反应过程，并在适当的温度（从 室温到500°C ）下沉积薄膜。晶体硅太阳能电池制程 预处理制绒镀膜PECVD烧结电极印刷刻蚀扩散 PECVD设备用于制备SiNx膜 钝化特性制备SiN减反射特性 confidential 短路电流 电池效率 开路电压 PECVD设备类别 设备结构上划分 平板式管式 沉积原理上划分 直接法间接法 Plasma Source SiH4、 NH3 平面载板 镂空碳框 石墨舟 平面载板 石墨舟 功能分布于不同腔室 气体利用率高自动化程度高 生产效率高 自动装卸片易实现设备维护繁琐 功能集中于同一炉管气体利用率低自动化程度低生产效率低 自动装卸片不易实现 设备维护简单 膜质致密表面钝化 体钝化沉积速率低 膜质疏松表面钝化沉积速率高 平板式直接法PECVD可较好地满足产业发展需要 confidential ESSINDTM PECVD的技术规格 项目产量膜厚均匀性折射率均匀性折射率 沉积速率成膜 温度 反应气体 指标＞1950片/吋(125*125mm2) ;＞1320片/吋 (156*156mm2)片内＜3%，片间＜5 %,批间〈5%片内＜1%，片间 ＜1. 5%,批间＜1. 5% 2. 02. 2 2030nm/min 200^450oC 连续可调 SiH4、 NH3、 N2 装载预热腔？大气-真空？预热工艺腔？等离子体沉积 冷却卸 载腔？真空-大气？冷却 装片台？摆放硅片 卸片台？取走硅片 O 预热 O 工艺 冷却 载板返回 confidential 平板PECVD设备的关键技术 大面积成膜均匀性 气流场？电场？温度场 可维护性 大角度开盖？快速冷却？延长PM时间？易操作？完善的安全保 护设计？先进工艺控制和分析？自诊断？工厂数据接口 ？降低单位 能耗？提高工艺气体利用率 腔室结构 上、下电极结构？热设计？真空传动？高效传输系统？自动装卸 片的集成？载板自动返回 软件及控制系统 自动化 节能降耗技术 开发平板PECVD设备是一项具有较大挑战性的工作 confidential 晶硅平板PECVD设备的技术特点北方微电子开发平板PECVD设 备的机遇ESSINDTM PECVD设备的竞争优势 confidential 太阳能电池生产厂对大型设备供应商能力的评估要素 产品战略具有清晰长远的战略规划资金基础 具有雄厚的资金 基础人才团队具有稳定高素质的专业技术团队行业经验具有微 电了高端设备行业经验 管理水平 具有正规的企业管理水平 研发平 台具有专业的检测评估手段服务能力具有专业水准的服务培训能 力 confidential 产品战略 12” 90nm刻蚀 机研发成功12” 65nm刻蚀机 生产线DEMO 12” 45nm刻蚀机 生产线DEMO 12” 45nm PVD生 产线DEMO 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 开始研发8”刻蚀机 8”刻蚀机生产线DEM0 8”刻蚀机实现销售 8”刻蚀机销售第三客户 晶硅太阳能自动化解决方案 8”刻蚀机销售第二客户 晶硅太阳能PECVD进入生产线 RIE制绒设备开发完成 愿景：成为全球知名的半导体、光伏和显示照明领域的高端设备 提供商。 confidential 资金基础 股东构成 北京电了控股有限公司中科院微电了研究所 清华大学 北京大 学中科院光电技术研究所北京圆合电了技术公司北京七星华电科 技集团 国家项冃 十五期间承担了 863 100nm高 密度等离子刻蚀机”项目，总投 资2. 6亿元；冃前承担国家科技重大专项90/65nm刻蚀机研发与 产业化”项目和65-45nmPVD设备研 发”项目，总投资10. 85亿 7IS o 产品销售 8英寸等离了体刻蚀机12英寸等离子体刻蚀机晶硅太阳能平 板PECVD LED ICP刻蚀机 自动化设备12英寸PVD薄膜太阳能PVD RIE制绒设备 confidential 人才团队 人才背景 等离了体技术高频交流