场发射扫描电镜技术标书.DOC

PAGE \* MERGEFORMAT5 附件：场发射扫描电镜技术标书 一、设备用途 扫描电镜是一种多功能的仪器，广泛地用于材料的微观组织观察、微区成分分析、材料的断口分析、材料的晶粒度分析、夹杂物分析及织构表征等，可对导电及不导电的固体材料进行表面形貌的观察及成分分析。场发射电镜能够实现更高分辨率的形貌观察，可实现对超细晶材料尤其是纳米材料的表征。基于相关附件，也可以对材料在温度及应力作用下的动态变化进行原位观察。 仪器包括电子光学系统、真空系统、样品室和样品台、探测器及成像系统、图像处理系统、应用软件及数据处理软件、X射线能谱分析仪（EDS）、背散射电子衍射分析仪（EBSD）、原位加热台。 二、技术参数 1．运行环境 1.1工作温度：可以在15~25环境温度工作 1.2 相对湿度：湿度小于60%RH时正常工作 1.3工作电压：在220V(±10%)、50Hz电压下，仪器可连续使用 2．电子光学系统 2.1电子枪：Schottky场发射电子枪 2.2加速电压：0.2kV~30KV，步长10V连续可调 2.3电子束流：束流连续可调，稳定性优于0.2%/h 2.4放大倍数：15倍~100万倍 2.5工作距离：5~50mm，粗调、精调两种模式 2.6物镜：无漏磁物镜，能有效观测磁性样品 2.7物镜光阑：具备自清洁功能 3．真空系统 3.1机械泵、分子泵、离子泵三级抽真空系统 *3.2真空模式：能够满足基本的成像、分析的高真空模式，同时满足原位加热台等附件工作的需要模式 3.3真空度：电子枪真空度优于10-7Pa、样品室高真空优于10-4Pa 3.4抽真空时间：不高于5min 4．检测器及成像系统 4.1成像模式：背散射成像、二次电子成像、任意比例混合模式成像 4.2检测器：电子探测器不少于3个，镜筒内二次电子探测器1个，高灵敏度低电压固体背散射探测器1个 4.3相机：样品室红外高清CCD相机 4.4检测器分辨率 *4.4.1二次电子分辨率：30kV时小于1.0nm或20kV时小于1.3nm，1kV时优于3.0 nm *4.4.2背散射电子分辨率：30kV时小于2.5nm，1kV时优于3.0nm 5．样品室和样品台 5.1样品台：自动马达驱动5轴以上(X、Y、Z 、T 、R) *5.2移动范围：X≥100mm、Y≥ 100mm、Z≥50mm、T=-5~70°、R=360°连续旋转 5.3移动精度：优于2μm 5.4样品室尺寸：内径不小于300mm，高度不小于200mm，可容纳样品直径不小于200mm 5.5样品室有EDS、EBSD接口 *5.6可加配加热台和原位拉伸台，加热台运行时应保证成像系统和EBSD能够同步运行 6．图像处理系统 6.1存储分辨率：不低素 6.2活动窗口：多个活动窗口，可同时显示背散射及二次电子图像 6.3图像格式：TIFF、BMP、JPEG等多种图像格式 6.4图像帧数：不小于256帧，可降噪处理 6.5能够进行数字动画记录 6.6具有图像注释、测量等图像处理功能 7．控制和数据处理系统 7.1基于以太网架构的数据传输系统 7.2软件平台适用于windows操作系统 7.3显示器：24”LED显示器 8．X射线能谱分析仪（EDS） 8.1能量探测器：电制冷硅漂移探测器（SDD） *8.2有效采集面积：SDD晶体有效活区面积不小于30mm2，窗口有效面积不小于20mm2，可实现低电压或者小束流条件下的高质量、高效率分析 *8.3探测器定位：探测器由马达控制精确定位，软件可控，能够实时监测和控制采集计数率，保证不同样品的数据重复性和测试条件重复性的目的 *8.4能量分辨率：Mn Kα优于127eV，C Ka优于50eV，F Ka优于60eV 8.5元素分析范围：至少为Be4~U92 *8.6峰背比：优于20000:1 8.7谱峰稳定性：分辨率变化在1eV以内，48小时内峰位漂移小于1.5eV 8.8计数率：输出最大计数率大于800,000CPS，可处理最大计数率大于1,500,000CPS 8.9具有轻元素定量分析和修正功能，可对Be、B、C、N等进行浓度定量检测以及修正 8.10采集界面：采用32位和64位双系统，采集界面方便简单，智能化设定参数，兼容原有EBSD数据，能实现能谱的采集与定量分析、线扫描及全息面扫描，包含常规面分布、定量面分布和快速面分布、快速智能面分布等 *8.11定性分析：具备点、线、面扫描分析功能，可自动和手动进行全谱元素谱峰识别，并具有检验重叠峰剥离准确性以及合峰效应的有效方法，能够分析夹杂和偏析等微量元素和微量相 8.12定量分析：采用最先进的修正技术和虚拟标样数据库，系统能够自动有效修正元素之间的相互吸收，可对抛光表面或粗糙表面进行点、线和面的分析，谱峰稳定