基于含杂原子光电功能材料的有机电子器件研究-信息材料专业论文.docxVIP

I I 摘要 有机半导体器件由于很多独特的性能而受到广泛的关注，比如质量轻、厚度薄、可弯 曲、响应快等等，但是它在效率、稳定性等方面还是与无机半导体器件有较大差距。研究 新材料在有机半导体器件中的应用，是解决有机半导体器件效率低、稳定性差的一个有效 途径。本文基于新材料，特别是杂原子取代的芳香类材料，根据材料的特殊性能，研究其 在有机电致发光器件及有机电双稳态器件对应功能层中的性能。 1、基于溶液加工得到的 MoO3，制备了 sMoO3 和 PEDOT:PSS 的混合液，结合现有的 常用空穴注入材料 PEDOT:PSS 和蒸镀的 MoO3，研究它们对小分子有机电致发光器件空穴 注入的影响。采用器件结构为：ITO / HIL/NPB(60 nm)/Alq3(60 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)。 发现用双氧水处理 MoO3 后旋涂制备的薄膜具有很好的空穴注入能力，启亮电压 2.8 V，最 大流明效率 2.91 cd/A，这样的性能和蒸镀 MoO3 得到的器件性能接近，为大面积旋涂器件 的制备提供了重要的依据。 2、基于 p-n 结构，且高三线态能级的双极性有机材料，制备了高效率的蓝光磷光电致 发光器件。采用的器件结构为 ITO/ MoO3(2 nm)/ m-M:MoO3 (15wt%, 30 nm)/ m-M(10 nm)/ Ir(ppz)3 (10 nm)/ HOST:Firpic(10wt%, 15 nm)/ Bphen(20 nm)/ LiF(1 nm)/ Al。通过优化发光层 掺杂比例、电子传输层厚度和发光层厚度，减小了双光束干涉效应，得到电致发光光谱正 确、效率最优的器件结构。最后基于最优的器件结构，表征了课题组内合成的 N-P 结构材 料体系。其中 DNCzPO 作主体材料时，器件的启亮电压为 2.6 V，最大电流效率 32.3 cd/A， 最大功率效率 37.2 Im/W，最大外量子效率 16.5%，色坐标为（0.15，0.33）。器件综合性能 达到了国际同类工作的领先水平。 3、基于 PVK 的衍生物聚乙烯基甲基硅芴（PSi），制备了电双稳态器件。采用的器件 结构为 ITO/PSi/Al，发现器件表现出良好的 WORM 型存储特性，开关比大于 106。根据器 件的电流电压曲线建立模型，探究了其中的电荷传输机理。通过改变器件的制备工艺试图 探究其中的存储开关机理，发现不同有机层厚度会导致器件阈值电压和开关比的变化，而 不同退火温度只影响器件的阈值电压，但对开关机理类型并未得到直接的论证。最后，基 于现有对 PVK 衍生物存储开关机理的解释，我们认为它属于分子构象变化导致电导态的 跃变。 关键词: 有机电致发光器件，界面修饰，蓝光磷光器件，有机电双稳态器件 II II Abstract Organic semiconductor devices, such as light emitting diodes (OLEDs), organic solar cells, thin-film transistors, and electronic memories, have attracted much attention for their low cost, light weight, flexibility, and high performances. Compared with traditional inorganic semiconductor devices, organic semiconductor devices generally have relatively lower efficiency and stability. Many new materials were designed and prepared, aimed to improve the device performance. Among them, heteroatom-substituted materials are outstanding with spectacular optical and electronic properties. However, systematic investigation of device structure for this kind of new-emerged organic functional lags far behind. In this thesis, the optimized device structures of organic light-emitting diodes and memory devices for heteroatom-s