接触型局域SP光刻直写头变形检测技术研究-机械电子工程专业论文.docxVIP

摘要 摘要 I I 摘 要 光学光刻技术发展至今已有几十年的时间，并为“摩尔定律”的延续作出了 重大贡献。但是光学光刻最终会因为达到技术极限或者是由于光刻成本剧增而被 放弃。所以人们一直努力寻求能提高光刻分辨率，具有高效率、低成本的新方法 和技术。其中，基于接触型表面等离子体光刻直写技术因其成本低廉、快捷灵活 等特点，特别适合于小批、单件纳米图形制作需求，具有很好的开发价值。本课 题来源于国家重点实验室开放基金“接触型局域SP光刻直写头设计和扫描性能分 析研究”。根据课题要求，需要设计一种可行的检测方案对光刻直写过程中的直 写头微变形情况进行检测，为进一步研究如何控制直写头的扫描姿态做准备。 第二章首先介绍了直写头的结构及光刻直写过程，在课题组仿真分析的基础 上，进一步研究了不同摩擦因数、位移载荷、扫描速度等外界因素对扫描模式下 的直写头姿态偏转的影响。最后提出直写头姿态偏转角为具体的检测目标。 第三章分别对电容法和光束偏转法两种检测思路进行了具体的可行性分析。 特别是对基于光束偏转法直写头姿态偏转检测进行了数学模型建立和数值仿真分 析，通过比较并选择了光束偏转法作为检测方案。 第四章对已选择的方法进行了总体检测方案设计，然后分析并确定了光源、 光电探测模块的种类。依据课题中对测量范围、测量分辨率的要求完成光路结构 设计、He-Ne激光器的选择和光斑计算、PSD的参数计算和选型。 第五章基于LabVIEW和数据采集卡USB6008，对PSD输出信号数据采集模块 进行软件设计，编写了LabVIEW数据采集处理程序，用于后续的系统标定、稳定 性、背景光影响等测试实验。 最后简要介绍了搭建的实验平台，分析总结影响实验精度的几种因素，并提 出了相应的改进措施。 关键词：表面等离子体，光刻直写头，姿态偏转检测，光束偏转法，误差分析 ABSTRACT ABSTRACT II II ABSTRACT The development of optical lithography technology has been for decades, and has made a significant contribution to the continuation of Moores Law. However, optical lithography technology will eventually be abandoned because of its reach of technical limit and soaring coats. So people have been trying to seek a new method or technology, which it can improve the lithographic resolution with high efficiency and low cost. Di- rect-write lithography technology which based on the contact surface plasmon is a re- search hotspot in recent years. Because of its low cost, fast and flexible features, this lithography technique is particularly suitable for needs of small batch, single nanometer graphics production. It has good development value for the production of increasingly strong demand nanostructures in product development stage. The subject comes from the national key laboratory open fund Design and scanning performance analysis of local SP lithography contact direct-write probe. According to the subject requirements, we need to design a feasible detection scheme to detect the micro deformation of the probe in the process of direct writing lithography, which is prepare for the