电浆表面改质及掺杂对LPCVD氧化锌膜效应之研究-龙华科技大学.PDF

電漿表面改質及摻雜對 LPCVD氧化鋅膜效應之研究 電漿表面改質及摻雜對 LPCVD氧化鋅膜效應之研究 張宇能 1 賴志瑋 2 龍華科技大學 龍華科技大學 化工與材料工程系 工程技術研究所 摘要 本研究以水平熱牆低壓化學氣相沉積(LPCVD)技術，製作 ZnO 鍍層，先後用電漿表 面改質及鎂摻雜，提升特性比較。首先將鍍好氧化鋅膜加以電漿表面改質，再使用螢光 光譜(PL)分析比較改質前後光電特性之差異，發現當 CVD條件在高氮氣氛下 (75%) ，蒸 0 0 發溫度 120 C,沉積溫度 600 C ，操作壓力200torr ，通入雙氧水/水混合蒸氣(plus O ) ， 2 經 XRD ，SEM 分析，CVD 鍍層為多晶氧化鋅連續膜，視基板/緩衝層條件，為粒徑 0.3-1.5µm氧化鋅，不規則顆粒，晶粒指向以 (002)為主，PL 光譜以 380nm 近帶隙發光 譜線為主。電漿處理後，發現粒徑變動不大， XRD(002)強度普遍減弱，但 PL380nm 峯 + 強大多明顯增強，部分試樣 380nm 峯可增強 1000%以上。據判斷，電漿中Ar可以去除 表面污物，修補缺陷，使電子/電洞結合率增加。總體來說，結果顯示電漿表面改質後 之 PL380nm 峯強度較處理前明顯增強二至二十倍。本文第二部份探討使用摻雜技術， 在高氧氣氛下 (87.5%) ，摻入氧化鎂，探討對鎂氧化鋅(MgZnO)膜之特性及結構影響。在 各次 CVD 先驅物乙醯丙銅化鋅(1g) 以外，再加入少量乙醯丙銅化鎂(0.01g 、0.05g 、0.1g) ， 觀察膜特性變化， FESEM 、PL 、XRD發現在加入 0.05g時，膜特性及結構變化最明顯。 PL 出現紅位移，在Si(100)上之 Mg：ZnO PL 峯由381nm變為 389.5nm顯示 CVD同步 摻入之鎂已進入晶格，造成氧化鋅帶隙結構改變，摻雜後 XRD 有明顯 (002)擇優指向強 度， FESEM觀察表面結構由不規則晶粒變為較細長的奈米線狀，線徑 100nm 、長度約 為 5~6µm 。 關鍵詞 :低壓化學氣相沉積、 ZnO、電漿表面改質、摻雜 1.前言 近國外光電半導體材料研究的熱門題 目。主要原因是現今傳統紫外光源以高壓 時値資源、能源日益短處的21世紀，以 汞蒸氣燈為主，其廢棄物處理對環境的衝 具有環保意識的新製程開創新技術，新物 質是材料研究的重點。氧化鋅是一光電材 擊極大，以 UV LED 為固態光源，除可避 料，在白光照明二極體，可攜電子元件， 免汞污染。 太陽能光電池透明導電膜等應用，具高性 近日研究發現，對半導體材料施以電漿 能，較低成本的優勢，高品質的氧化鋅二