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Confidential HSDI/PTRD Confidential HSDI/PTRD Page */16 純錫高溫變色主因分析 Page */16 背景說明 變色實驗結果總結 變色表面物質分析 變色可能原因分析 純錫高溫變色真因 高溫變色改善方法 報告內容 Page */16 背景說明 為符合RoHS環保規範,各業界均需將現今含鉛製程改採無鉛製程,對連接器端子電鍍來說純錫為目前最佳也最經濟的替代方案。但由錫鉛改為純錫後,最明顯直接的改變就是SMT溫度由225℃提升為240℃甚至260℃,隨之而來的問題就是純錫在高溫時發生變色問題(黃色或藍紫色)。雖然目前並未有因變色而導致產品功能性異常的問題發生,但為確保產品品質、消除客戶疑慮,找出變色真因及改善方法實為當前重要課題,業界對變色的機制說法眾出紛紜, 本報告旨在找出變色主因並確認改善方向。 Reflow Page */16 變色實驗結果總結 綜合多次實驗結果 匯整純錫高溫變色有以下特性: 在air atmosphere下, 變色隨著溫度高低(230~260℃)或高溫時間長短而有不同程度的變化:由銀白顏色?黃色?藍紫色。Sn/Pb鍍層,純錫塊在高溫時也有這種變色情形。 使用亮錫變色嚴重,而霧錫變色較輕微。 使用半亮鎳為底鍍層易變色,而不鍍鎳底或使用磷鎳則不易變色,且IR reflow後亮錫外觀變暗(霧),霧錫外觀變亮(並非變黃或藍紫色)。 氮氣下(含氧量 500 ppm)過三次IR reflow不會變色(without post-treatment)。 鍍錫後再浸泡後保護劑或稀酸可改善變色,但三次reflow仍會變色(without inert atmosphere)。 變色表面可被稀硫酸(約20%)洗去。 固定ASD, 錫厚度?, 變色程度? 。 Temp.↑ or Time↑ 硫酸浸洗 變色表面 Page */16 變色表面物質分析 Auger 分析 (Obtained from PBL-PTRD, substrate: stainless steel ) Auger depth profile (Obtained from Rohm-Haas) 對變色樣品進行不同深度的元素分析得知鍍層元素含有C, O, Sn, 或Ni(當底材為不鏽鋼時)。C來源為鍍層共沈積的有機添加劑,O為氧化反應而來,Ni為底材擴散而來,因此推測造成變色的可能原因為: 有機物析出 表面氧化 底層金屬擴散,形成Sn/Ni合金 Surface: C, O, Sn Depth:11? : O, Sn, Ni Depth: 22? : O, Sn, Ni Sn, O, C Page */16 高溫變色 表面氧化 底層金屬擴散 有機物析出 變色可能原因分析 Page */16 推論機制: 變色錫層表面元素分析結果發現表層含碳量較高,為錫層高溫熔化時,有機物自金屬晶界中釋放而浮出至表面,故碳元素多在鍍層表面。 有機物析出為主因的矛盾點: 若變色物質為有機物,則應可溶於有機溶劑,但實際使用醇類、正溴丙烷及DMSO皆無法洗去變色物質,僅可被稀硫酸洗去(稀硫酸不溶純錫)。 不鍍鎳及磷鎳樣品或在氮氣下reflow皆不變色,若為有機物析出則不應如此(因為錫層仍會熔化)。 於200℃長時間烘烤外觀仍會變為藍紫色,但此時錫層未熔化,沒有有機物析出的問題。 下圖為對不同變色程度樣品Auger分析的結果:不同變色程度, 碳含量分布並無太大變化,顯示碳含量對變色影響不大。 變色可能原因分析-有機物析出 C含量分布相近 (Obtained from Rohm-Haas) 輕微變色 嚴重變色 以上分析雖無法完成排除有機物的影響,但可確定並非變色主因。 Page */16 高溫變色 表面氧化 底層金屬擴散 變色可能原因分析 有機物析出 Page */16 反應機制: 不同金屬之交界面常因擴散而生成界面合金(Intermetallics, IMC),界面合金的生長速度與溫度、金屬特性及晶粒大小有關。銅錫合金成長速度相當快,而鎳與錫合金則較慢,IMC生長最終可至錫層耗盡。 底層金屬擴散為主因的矛盾點: 在固定鎳及錫電鍍條件且使用相同IR profile時,生成鎳錫合金的速度及厚度應不會有太大差異,故鍍薄錫應該因錫鎳合金較易顯露至表面而變色,鍍厚錫則較不會變色,但實際結果卻相反(薄錫≈50minch輕微變色,厚錫≈500minch變色嚴重)。 由於銅擴散速度較鎳快,故不鍍鎳應易生成較厚IMC致嚴重變色,此外鎳錫合金生長不受鎳膜厚影響,故增加鎳膜厚理應不會影響變色,但實際結果卻相反(不鍍鎳不變色,薄鎳≈20m變色較輕微,厚鎳≈200m變色嚴重)。 合金
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