第10章 存储器及可编程器件概述.pptVIP

北京理工大学 信息科学学院 第10章 存储器及可编程器件概述 §10.1 只读存储器(Read Only Memory, ROM) 10.1.1 ROM结构与原理 10.1.2 现代ROM的行列译码结构 10.1.3 PROM、EPROM、EEPROM 10.1.4 ROM的内部结构及ROM的扩展 §10.2 随机存取存储器 RAM(Random Access Memory) 10.2.1 概述 10.2.2 静态随机存取存储器SRAM 10.2.3 动态随机存取存储器SRAM §10.3可编程逻辑器件(PLD)简介 10.3.1 可编程阵列PLA(Programmable Logic Array) 10.3.1 可编程阵列PLA(Programmable Logic Array) 10.3.2 可编程逻辑器件PAL、 GAL * 数字电路——分析与设计 第10章 存储器及可编程器件概述 存储器不仅能够存储程序和数据而且还能实现逻辑函数。存储器分只读存储器ROM和随机存取存储器RAM。可编程逻辑器件(Programmable Logic Device)是在存储器的基础上发展起来的。 存储器的内容只能读取、不能改写的存储器叫做只读存储器，简称ROM。其内容是在工厂里事先做好的。 译码器输入为n位地址码，输出为2n条“与”线(n个地址变量相“与”)，它们对应2n个最小项mi。 若“与线”与纵线的交叉点无NMOS管，则该条纵线电平为“1”，经过反相器输出逻辑“0”。 若“与线”与纵线的交叉点有NMOS管，则该条纵线电平取决于NMOS管栅极——“与线”的电平。 若“与线”电平为“1”，则纵线电平为“0”，输出为“1”；若“与线”电平为“0”，则纵线电平为“1”，输出为“0”。 一条纵线上可能挂有若干个NMOS管，只要其中一个NMOS管导通，则该条纵线上的逻辑电平就是“0”。 一条纵线对应一个数据位Di 故也称纵线为“位线”。 输出Di与相应纵线上挂有NMOS管所对应的mi是“或”的关系。所以纵线也叫“或”线。例如：D4= m2 + m3 虚线左边完成(地址变量) “与”运算，称“与”阵列；虚线右边完成(最小项)“或”运算，称“或”阵列。 一条“与”线对应一个字节的输出，故“与”线也称为“字线”。 一般ROM的容量为：“字线”数 × “位”线数。 此ROM的容量(bit数)为8×8。 若地址线位数为n，数据线位数为m，则ROM的容量为：2n×m。 若把A2A1A0看成自变量而把D7～D0看成逻辑函数,则下表为一真值表。 容量为23×8的ROM可实现8个3变量逻辑函数。 容量为2n×m的ROM可实现m个n变量逻辑函数。 用ROM可实现组合逻辑函数。函数变量个数≤地址线位数。 ROM的阵列画法： ROM的特点：与阵列固定，或阵列可编程。 地址线16条，n =16；数据线8条，m = 8。ROM的容量为216 × 8，即：65536 × 8 。 掩膜ROM是在存“1”的单元位置上放一个NMOS管，而存“0”的单元位置上则不放。这个工作叫做“编程”，只能由半导体厂家来做，用户是不能做的。 为了让用户自己编程ROM，于是就有了PROM(Programmable ROM)。 PROM的所有单元位置上都放了一个“熔丝”型NMOS管，这样所有的单元都存入了“1”。 编程时，将需要存“0”的单元位置上的NMOS管的“熔丝”烧断。 PROM只能编程一次。叫做OTP(One Time Programmable)。 为了让用户自己能够改写ROM的内容，于是就有了EPROM (Erasable PROM)。 EPROM的所有单元位置上都放了一个“悬浮栅极”型NMOS管，这样所有的单元也都存入了“1”。 编程时，将需要存“0”的单元位置上的NMOS管的“悬浮栅极”注入电子。这些电子在外部栅极接高电平时阻止NMOS管的导通。 擦除EPROM内容时，用紫外线灯照射EPROM上的石英玻璃窗。 可用电信号擦除ROM内容的PROM，叫做EEPROM(Electrically Erasable PROM)，或叫做E2PROM。 在E2PROM基础之上又发展出了一种快闪存储器(Flash Memory)，简称闪存(Flash)。由于结构上的不同，Flash比普通的E2PROM的集成度要高得多。 各种类型ROM的读写速度比较。 CS：“片选”输入端，低有效。一般被连接在计算机系统的地址译码器输出端上。 OE：“读出控制”输入端，低有效。一般被连接到CPU的“读”控制线RD端上。 An-1～A0：n位地址线输入端。 Db-1～D0：数据线输出端。 ROM数据线的扩展。 地址线n位。数据线由8位扩展到16位。 ROM地址线的扩展。 数据线为8位。地址线