CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术.pdfVIP

第 4O卷第 2期 微 电 子 学 Vo1．4O。No．2 2010年 4月 croelectronics Apr．2010 CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术 张宗楠 ，赵 磊 ，张海英 (中国科学院微电子研究所 ，北京 100029) 摘 要： 设计 了一种可在 CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器 的并联和 串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数 目以及寄生电阻对变 压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功 放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及 有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在 2～3GHz频段 内的损耗小于1．35dB，其功率合成效 率高达 76 以上，适合多模多频段射频前端的应用。 关键词： 射频功率放大器；变压器；功率合成 中图分类号：TN722 文献标识码：A 文章编号：1004—3365(2010}02—0226—04 TransformerPowerCombininginCM OSRFPowerAmplifier ZHANG Zongnan，ZHAO Iei，ZHANG Haiying (InstituteofMicroelectronics， PChineseAcademyofSciences，Bering100029，P．R．China) Abstract： Awide-bandtransformerforpowercombininginCMOSRFpoweramplifierwasdesigned．Twotypes oftransformers，serialandparallelcombining，wereanalyzedandcompared，Ithasbeendemonstratedthatrum rati— O，numberofprimarywindingsandparasiticresistorarekeyfactorsforpowercombiningperformance．Byparalle— lingstacksofmulti-layermetalandlocatingthepowercellinwindings，anon-chiptransfomr erwasdesignedtO overcomelargeparasiticresistanceandinsufficientcouplinglength．Thetransformerfeaturesamaximum lossof1． 35dBinthefrequencybandrangefrom 2GHzto3GHzandapowercombiningefficiencyabove76％． Keywords： RFpoweramplifier；Transfomr er；Power-combining EEA0C： 1220 缺陷，会对功率放大器本身的输出功率、线性度以及 1 引 言 效率构成极大的伤害。因此，目前在使用 CMOS工 艺设计功率放大器时，大多采用差分形式的放大 电 随着全球移动通讯市场的发展，无线通信系统 路，并且利用功率合成器将多个功率单元电路连接 对减小芯片尺寸、降低制作成本以及缩短研发周期 在一起，产生所需要的大功率输出。目前比较成熟 的要求越来越强烈。制造商尽可能地在一整块芯片 的解决方式是采用变压器连接[1]。采用变压器合 上实现数字、模拟以及部分射频的集成。到 目前为