模拟电子技术(清华大学)课件.pptVIP

电 子 技 术;绪 论;绪 论;I. 电子技术发展史;I. 电子技术发展史;1.原始通信方式——人力、烽火台等; 电子器件是按照“电子管——晶体管——集成电路”的顺序，逐步发展起来的。 ;1. 真空电子管的发明：; 自电子器件出现至今，电子技术已经应用到了社会的各个领域。 ;II .电子技术的应用;III. 课程安排;二. 时间安排 ;第一编 模拟部分 ;第一章 半导体器件 ;1 .1 半导体（Semiconductor）导电特性 ;1 .1 .1 本征半导体; 但在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发） ，呈现导体的性质。; 但在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发） ，呈现导体的性质。;在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。;在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。;在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。; 半导体内部存在两种载流子??可导 电的自由电荷）：电子（负电荷）、空 穴（正电荷）。 ;1 .1 .2 杂质半导体; N型半导体内部存在大量的电子和少量的空穴，电子属于多数载流子（简称多子），空穴属于少数载流子（简称少子）。 n ≥ p N型半导体主要靠电子导电。; P型半导体内部存在大量的空穴和少量的电子，空穴属于多数载流子（简称多子），电子属于少数载流子（简称少子）。 p ≥ n P型半导体主要靠空穴导电。; 杂质半导体导电性能主要由多数载流子决定，总体是电中性的，通常只画出其中的杂质离子和等量的多数载流子。;1 .2 半导体二极管（Diode） ; 1 .2 .1 PN结（ PN Junction ）;一. PN结的形成 ;二. PN结性质——单向导电性 ;1. 正向导通 PN结外加正向电压（正向偏置）——P接 +、N接 - ，形成较大正向电流（正向电阻较小）。如3mA。; 1 .2 .2 二极管;二．二极管主要参数; 由三块半导体构成，分为NPN型和PNP型两种。三极管含有3极、2结、3区。其中发射区高掺杂，基区较薄且低掺杂，集电区一般掺杂。 ;1 .3 三极管（Transistor） ;1 .3 三极管（Transistor） ; 1 .3 .3 三极管内部载流子传输 ;I;I; 1 .3 .4 三极管各极电流关系 ; 1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线 ; 1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线 ; 1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线 ; 1 .3 .6 三极管主要参数 ; 1 .3 .6 三极管主要参数 ;三极管的安全工作区 ;1 .4 场效应管（Field Effect Transistor ） ; 1 .4 .1 结型场效应管 ; 1 .4 .1 结型场效应管 ; 1 .4 .1 结型场效应管 ; 1 .4 .1 结型场效应管 ; 1 .4 .2 结型场效应管 ; 1 .4 .1 结型场效应管 ; 1 .4 .1 结型场效应管 ; 1 .4 .2 结型场效应管 ; 1 .4 .1 结型场效应管 ; 1 .4 .1 绝缘栅型场效应管 ; 1 .4 .1 绝缘栅型场效应管 ;二. 增强型N沟道MOS管工作过程 ;三.增强型N沟道MOS管特性曲线 ;四. 耗尽型N沟道MOS管工作过程 ;四.耗尽型N沟道MOS管特性曲线 ;各类场效应管偏置电压极性 ; 五.场效应管的主要参数;第二章 基本放大电路 ;2.1 放大的概念 ;2 .2 .1 原理电路 ;2 .2 .1 原理电路 ;2 .2 .2 电路放大工作原理 ;2 .2 .3 实际放大器 ;2 .2 .4 放大器构成原则 ;电路举例 ; 对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：; 对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：; 对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：; 对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：; 对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：; 对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：; 对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：; 对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：;附：电路中有关符号规定 ; 放大器分析有静态分析和动态分析。其中动态分析最常用的方法有图解法（大