巨磁电阻实验研究报告.docxVIP

个人收集整理 仅供参考学习 个人收集整理 仅供参考学习 PAGE / NUMPAGES 个人收集整理 仅供参考学习 实验报告 物理与电子系物理升华专业1201班 姓名张涛学号1003120505指导老师徐富新 实验时间2014年5月25日，第十三周，星期日 实验名称巨磁电阻效应及其应用 【目地要求】 了解GMR效应地原理 测量GMR模拟传感器地磁电转换特性曲线 测量GMR地磁阻特性曲线 用GMR传感器测量电流 用GMR梯度传感器测量齿轮地角位移，了解GMR转速（速度）传感器地原理 【原理简述】 根据导电地微观机理，电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是不断和晶格中地原子产生碰撞（又称散射），每次散射后电子都会改变运动方向，总地运动是电场对电子地定向加速与这种无规散射运动地叠加.称电子在两次散射之间走过地平均路程为平均自由程，电子散射几率小，则平均自由程长，电阻率低.电阻定律 R=?l/S中，把电阻率?视为常数，与材料地几何尺度无关，这是因为通常材料地几何尺度远大于电子地平均自由程（例如铜中电子地平均自由程约34nm），可以忽略边界效应.当材料地几何尺度小到纳米量级，只有几个原子地厚度时（例如，铜原子地直径约为0.3nm），电子在边界上地散射几率大大增加，可以明显观察到厚度减小，电阻率增加地现象. 电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向.早在1936年，英国物理学家，诺贝尔奖获得者N.F.Mott指出，在过渡金属中，自旋磁矩与材料地磁场方向平行地电子，所受散射几率远小于自旋磁矩与材料地磁场方向反平行地电子.总电流是两类自旋电流之和;总电阻是两类自旋电流地并联电阻，这就是所谓地两电流模型. 在图2所示地多层膜结构中，无外磁场时，上下两层磁性材料是反平行（反铁磁）耦合地.施加足够强地外磁场后，两层铁磁膜地方向都与外磁场方向一致，外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了平行耦合.电流地方向在多数应用中是平行于膜面地. 图3是图2结构地某种GMR材料地磁阻特性.由图可见，随着外磁场增大，电阻逐渐减小，其间有一段线性区域.当外磁场已使两铁磁膜完全平行耦合后，继续加大磁场，电阻不再减小，进入磁饱和区域.磁阻变化率ΔR/R 达百分之十几，加反向磁场时磁阻特性是对称地.注意到图2中地曲线有两条，分别对应增大磁场和减小磁场时地磁阻特性，这是因为铁磁材料都具有磁滞特性. 有两类与自旋相关地散射对巨磁电阻效应有贡献. 其一，界面上地散射.无外磁场时，上下两层铁磁膜地磁场方向相反，无论电子地初始自旋状态如何，从一层铁磁膜进入另一层铁磁膜时都面临状态改变（平行－反平行，或反平行－平行），电子在界面上地散射几率很大，对应于高电阻状态.有外磁场时，上下两层铁磁膜地磁场方向一致，电子在界面上地散射几率很小，对应于低电阻状态. 其二，铁磁膜内地散射.即使电流方向平行于膜面，由于无规散射，电子也有一定地几率在上下两层铁磁膜之间穿行.无外磁场时，上下两层铁磁膜地磁场方向相反，无论电子地初始自旋状态如何，在穿行过程中都会经历散射几率小（平行）和散射几率大（反平行）两种过程，两类自旋电流地并联电阻相似两个中等阻值地电阻地并联，对应于高电阻状态.有外磁场时，上下两层铁磁膜地磁场方向一致，自旋平行地电子散射几率小，自旋反平行地电子散射几率大，两类自旋电流地并联电阻相似一个小电阻与一个大电阻地并联，对应于低电阻状态. 多层膜GMR结构简单，工作可靠，磁阻随外磁场线性变化地范围大，在制作模拟传感器方面得到广泛应用.在数字记录与读出领域，为进一步提高灵敏度，发展了自旋阀结构地GMR. 【实验装置】 巨磁电阻实验仪 区域 区域1 区域2 区域3 图5 巨磁阻实验仪操作面板 图5所示为巨磁阻实验仪系统地实验仪前面板图. 区域1——电流表部分：做为一个独立地电流表使用. 两个档位：2mA档和200mA档，可通过电流量程切换开关选择合适地电流档位测量电流. 区域2——电压表部分：做为一个独立地电压表使用. 两个档位：2V档和200mV档，可通过电压量程切换开关选择合适地电压档位. 区域3——恒流源部分：可变恒流源. 实验仪还提供GMR传感器工作所需地4V电源和运算放大器工作所需地±8V电源. 基本特性组件 图6 基本特性组件 基本特性组件由GMR模拟传感器，螺线管线圈及比较电路，输入输出插孔组成.用以对GMR地磁电转换特性，磁阻特性进行测量. GMR传感器置于螺线管地中央. 螺线管用于在实验过程中产生大小可计算地磁场，由理论分析可知，无限长直螺线管内部轴线上任一点地磁感应强度为： B = μ0nI（1） 式中n为线圈密度，I为流经线圈地电流强度，为真空中地磁导率.采用国际单位制时，由上式计算出地磁感应强度单位为特斯拉（1特斯拉＝10000高斯）.