MeV中子在组合材料上高阈能活化反应率的测量和计算.pdfVIP

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MeV中子在组合材料上高阈能活化反应率的测量和计算.pdf

维普资讯 第 27卷 第8期 核 技 术 V0.l_27.No.8 2004年8月 NUCLEARTECHNIQUES August2004 14MeV中子在组合材料上高阈能 活化反应率的测量和计算 鹿心鑫 刘 荣 王 玫 蒋 励 林菊芳 温中伟 王大伦 (中国工程物理研究院核物理与化学研究所 绵阳 621900) 摘要 用六种阈能探测器Fe、Al、C2F4、Nb、Zr和cu测量了D—T聚变中子在柱状组合材料上的高阈能活化 反应率,讨论了实验结果。用MCNP/4B程序计算了实验装置上的活化反应率,并与实验结果进行比较。结果 表明,除F活化反应率符合较好外,其余相差 lO%一3O%。 关键词 阈能探测器,绝对活化反应率,蒙特卡洛多粒子输运程序,核数据库 中图分类号 TL816.3 核活化法测量中子具有简单方便、灵敏性高等 实验测量的绝对活化反应率可以由下式表示: 优点。介质上活化反应率的测量提供了中子能谱表 示。也是一种检验核数据以及中子输运问题的理论 : M×6×9xe×g (2) 计算方法、技巧和参数的手段。各种阈探测器用于 不同的实验 目的,如测量和比对快中子的反应率lI; 其中 研究铅、铍等中子倍增材料的倍增率B ;研究不同 )= 材料组合下的中子产额l4等。大多数都是核数据实 验方面的测量,而组合材料上活化反应率的测量不 妒= × × ( 多。本实验用六种阈能探测器Fe、Al、C2F4、Nb、 zr和Cu,测量D.T聚变中子在铁和含氢慢化材料 柱状组合体上的高阈能活化反应率,研究高能中子 式中:N(to)表示活化箔在停止照射f0时刻的丫 在组合体上的穿透特性,并与蒙特卡洛程序的计算 活性(个); 表示活化箔受辐照后生成的放射性物 结果进行比较,以此检验和评估活化截面核数据库。 质的衰变常数(s);to表示中子辐照结束时刻,即 活化箔受中子辐照的时间(s);fl表示开始测量放射 1 实验原理和测量方法 性核素活度的时刻(s);to至 f1为活化箔冷却时间; t2为结束测量放射性核素活度的时刻(s);t1至t2为 活化法的基础是核反应l5】,利用部分稳定核素 测量活化箔的活性时间;N:表示 一f2时间内测到 经中子辐照后成为放射性核素,放射性衰变产生 p 的活化箔放射性活度(个);M为活化箔中的原子数 射线和(或脯 线,通过测量其积聚的放射性活度可 目(个),整个照射过程中认为保持不变,为一常数; 以求出中子的注量率,也可以用于测量中子能谱。 b为同位素丰度;g为该放射性核衰变的Y射线发射 由于核活化法常采用具有反应阈的(n,Cc)、(n,p)、(n, 几率;£为高纯锗探测器的绝对效率,由直径 18mm 2n)、(n,D等反应,又将其称为 “阈活化法”,所用 的标准Y面源刻度获得;妒为绝对中子产额,由伴随 的活化片称为 “阈探测器”。 子法得到。 (,,)为各向异性修正因子,是 对于单一核素,中子的活化反应率可通过下式

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