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Ⅲ族氮化物半导体材料
Zhe Chuan Feng Taiwan University ，ChinaⅢ-Nitride
SemiconductorMaterials2006 ，428pp．Hardcover
USDl20.00ISBN 1-86094-636-4Imperial College Press
Ⅲ族氮化物半导体材料 (Al ，In，Ga)N，(包括 GaN、InN 、
AlN 、InGaN 、AlGaN 和 AIlnGaN 等)是性能优良、适宜制作
半导体光电子和电子器件的材料。用这种材料研究发展的高
功率、高亮度的蓝 -绿-白发光管和蓝光激光器以及其他电子
器件和光电子器件近几年来均有很大突破，有的已形成了产
业。预期在本世纪内氮化物基的发光管有可能置换传统的钨
丝灯，这在照明领域是一次革命，将会极大地影响人们的生
活。
此书共有 12 章，每章作者均是该领域的专家。全书内
容包括了Ⅲ -N 科学和技术的基础和各个重要的方面， 主要内
容有： 1 Ⅲ族氮化物材料的氢化物汽相外延； 2 Ⅲ族氮化
物材料外延的平面 MOVPE 技术； 3 GaN 和相关材料外延
的紧耦合喷头 MOCVD 技术； 4 Ⅲ-N 材料的分子束外延；
5 非极性 GaN 薄膜和异质结的生长和特性； 6 InN 的高压
CVD 生长、适时和非原位持性； 7 对 InN 新的认识； 8
AlxGal-xN 合金(x=O-1) 的生长和光 /电特性； 9 MOCVD
lnGaN/GaN 量子阱结构的光学研究； 1O 掺 SiInGaN/GaN
量子阱结构的簇状纳米结构和光学特性； 11 Ⅲ族氮化物的
微结构和纳米结构； 12 稀释氮化物半导体研究的新进展。
此书介绍了Ⅲ族氮化物材料的一些重要性能和关键生
长技术，指出了 21 世纪以来Ⅲ族氮化物半导体的最新进展
和还有待研究解决的问题。适合从事Ⅲ族氮化物领域的研
究、教学、工程技术人员以及研究生、大学生阅读和参考。
孔梅影，研究员
(中国科学院半导体研究所 )
Kong Meiying ，Professor
(Institute of Semiconductors ，
the Chinese Academy of Sciences)
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