第五章半导体器件.pptVIP

下载本文档

0
0
约小于1千字
约 75页
2019-03-15 发布于江苏
举报
版权申诉

第五章半导体器件.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

1.1.1 PN结的形成;+14;平面结构;Si;Si;Si;;电子和空穴的产生过程动画演示; 本征激发使空穴和自由电子成对产生。;半导体导电机理动画演示;1) 在半导体中有两种载流子;2．杂质半导体 ;Si;Si;+;N型半导体的形成过程;c. 电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流子，简称少子。;(2) P型半导体 ;Si;Si;;-;P型半导体的形成过程;c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。;当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；;N;使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区;PN结形成过程动画演示;耗尽层势垒区空间电荷区;当N区和P区的掺杂浓度不等时：;1.1.2 PN结的单向导电性;PN结正偏动画演示;小结： ▲当PN结加上正向电压时，形成多子的扩散电流（较大）。;;PN结反偏动画演示;小结： ▲当PN结加上反向电压时，形成少子的漂移电流（很小）。 ▲因少子浓度主要与温度???关，反向电流与反向电压几乎无关。此电流称为反向饱和电流，记为IS。 ;1.1.3 PN结的电压与电流关系;IS—PN结反向饱和电流;（1）当u=0时，i=0;思考题;1.2 半导体二极管;半导体二极管的外型和符号;半导体二极管的类型;1.2.2 半导体二极管的伏安特性 ;(1) 整个正向特性曲线近似地呈现为指数形式。;(3) 导通后（即uD大于死区电压后）;2．反向特性 ;(2) 当;c. 降低反向电压，二极管仍能正常工作。;a. 齐纳击穿 ;条件：半导体的掺杂浓度低;1.2.4 半导体二极管的主要电参数;4. 反向电流IR;5. 正向电压降UF;二极管的几种常用的模型;2) 电路模型;2) 电路模型;2) 电路模型;1.2.3 温度对半导体二极管特性的影响;思考题;1.3 半导体二极管的应用;1.3 半导体二极管的应用;设;1. 工作原理;b. 当u20时;1.3.3 限幅电路;ui;输出端电压波形;1.4 特种二极管;;+;