半导体中相干控制光电流对光场的偏振依赖性.pdfVIP

维普资讯 第54卷 第4期 2005年4月 物 理 学 报 Vo1．54，No．4，April，2005 1000．3290／2005／54(04)／1863—05 ACTAPHYSICA SINICA ⑥2005Chin．Phys．Soc． 半导体中相干控制光电流对光场的偏振依赖性* 刘鲁宁 寿 倩 雷 亮 林春梅 赖天树 文锦辉 林位株 (中山大学理工学院光 电材料与技术国家重点实验室，广州 510275) (2004年4月 1日收到；2004年 7月 15日收到修改稿) 采用黄金定则方法和Kane六能带模型，分析了半导体中的量子干涉控制光生电流效应 ．计算 了不同偏振光场 下载流子在动量空间的初始布居分布，从微观上阐明了相干电流对光场的偏振依赖特性 ．在平行线偏振情况下，相 干电流方向沿光场的偏振方向；而在正交线偏振情况下 ，电流方向与倍频光的偏振方向相同．还证明了只有当单光 子跃迁和双光子跃迁相平衡时才能获得最大的电流注入效率 ． 关键词：量子干涉，光电流，线偏振光 PACC：7865，4210M，0365 单、双光子跃迁所引起的量子干涉效应进行了讨论， 1．引 言 详细分析了不同偏振光场下的相干控制电流效应． 计算了不同偏振光场下载流子在动量空间的初始布 近年来，在半导体中产生相干控制光电流的研 居，从微观上阐明了相干电流对光场的偏振依赖特 究引起了人们的广泛关注，已成为相干控制研究的 性．还证明了只有当单光子跃迁和双光子跃迁相平 重要部分 ．它以激光的相位作为控制参量来实现 衡时，才能获得最大的电流注入效率，这与文献[6] 对光 电流 的大小和方 向的控制．多伦多大学 的 的实验结果相符． Hach6等 利用两束相位相关的基频光和倍频光在 无掺杂半导体体材料 (GaAs和LT-GaAs)中实现了相 2 单光子跃迁和双光子跃迁的计算 干电流的光学注入与控制．其原理为：用相位相关的 假设所取研究系统带边附近的能带结构可以较 基频光和倍频光激发半导体样品，利用单光子跃迁 好地由Kane能带理论描述 J，该能带结构由一个导 和双光子跃迁的量子干涉效应，引起光生载流子在 带和两个价带组成，两个价带分别为轻空穴带 (1h) 动量空间的不对称分布，宏观上表现为电流效应． 和重空穴带 (hh)，如图1所示．导带、重空穴带以及 Stevens等 还用两束圆偏振光在 LT．GaAs中注入了 轻空穴带均为两重 自旋简并带 ．入射光场 由两束相 自旋极化的相干电流． 位相关的基频光和倍频光组成 ，垂直于晶体的(001) 在理论方面，Atanasov等 利用全能带数值模 面共线正入射样品，且光子能量满足 E／2hco 型计算了体材料 GaAs中相干控制光电流的注入张 E，E 为材料的禁带宽度，即 量，但 由于采用数值模拟的方法，故物理图像不够清 E(t)=Ee “+E2e一“+c．c．， (1) 晰．Bahae 采用缀饰态波函数和简单的三能带模