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重 型 机 械
基于分子动力学的压力对纳米抛光碳化硅的影响分析
张广辉 王桂莲 王治国 徐进友
天津理工大学天津市先进机电系统设计与智能控制重点实验室 天津
桂林航天工业学院机械工程学院 广西桂林
摘 要 本文运用分子动力学基本原理建立了金刚石磨粒抛光碳化硅工件的三维模拟模型 对线
性增大抛光压力时系统势能 碳化硅工件的温度与材料去除量的变化规律进行了深入分析 研究结果
表明 随着抛光压力的线性增加 系统势能和工件温度首先明显增大 然后增速变得缓慢 最后趋于
动态平衡的状态 工件表面的材料去除形式由压实去除转变为犁沟去除 直至大变形切削过程 工件
表面的原子去除数量近似指数函数变化
关键词 碳化硅 抛光 压力 材料去除
中图分类号 文献标识码 文章编号
术是实现全局平坦化 超光滑 无缺陷 无损伤
前言
最为有效的方法之一 掌握碳化硅的抛光机
碳化硅具有较高的硬脆性 刚度大 化学稳 理 可以促进对碳化硅半导体高精度 高效率
定性良好 因此加工极为困难 而超精密抛光技 低成本的大规模开发 从而实现第三代半导体产
目前 国内外研究学者运用分
业的革命性发展
收稿日期 修订日期
基金项目 国家自然科学基金项目 中国博士后科 子动力学方法研究超精密抛光过程 并在材料的
学基金项目 去除和变形机理
已加工表面形成机理 取得
作者简介 张广辉 男 天津理工大学在读硕士研
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