形应变超晶格的沟道效应与系统的相平面特征.PDFVIP

第 19卷 第 4期 原 子 核 物 理 评 论 V01．19。NO．4 2002年 12月 NuclearPhysicsReview Dec．，2002 文章编号 ：1007--4627(2002)04--0407--04 形 (应)变超 晶格 的沟道效应与系统的相平面特征 罗诗裕 ，马如康 ，邵明珠 (漳州师范学院 ，福建 漳州 363000) 摘 要：利用正弦平方势，把粒子运动方程化为具有 艿力矩 的摆方程．分析 了无扰动系统的相平面 特征 ，计算 了扰动系统 的退道效应．讨论 了退道系数与晶格形变之 间的关系． 关 键 词 ：超 品格 ；摆方程 ；力矩 ；退道效应 中图分类号 ：0471．5；O571．33 文献标识码 ：A 随着加速器技术的发展 ，人们对带 电粒子与物 度无法和 GaAs相 比，后 者又使它不能发 出可见 质相互作用进行 了广泛而深入 的研究．带 电粒子 的 光．如果把它做成超 晶格 ，则可将它变成 (准)直接 沟道效应和沟道辐射便是人们发现 的重要现象之 带隙 ，使它的光学性质得到改善 ，为实现大规模 的 一 ． 由此发展起来 的沟道技术在 固体物理和原子核 光 电集成提供广阔前景D]．正是 由于能带结构与半 物理 中得到 了广泛应用 ，而且成功地将这一技术用 导体材料 的形 (应)变有关 ，控制或调节超 晶格 的形 来研究形 (应)变超 晶格 ． 变参数就可 以得到不 同性质 的光 电材料．由于超 晶 1970年 ，Esaki和 TsuE13首次提出了超 晶格概 格形变参数是一个很重要 的量 ，人们 已提 出了不 同 念．最初的超 晶格是用两种 晶格常数相 同的材料交 方法对它进行描述 ，利用带 电粒子 的退道效应便是 替生长 ，形成一种多层薄膜结构 ．后来 ，人们又用 其 中一种． 两种 晶格常数相近的材料交替生长，形成多层薄膜 本文利用正弦平方势 ．‘5]，把粒子运动方程化 结构的形变超 晶格．值得注意的是，当人们用分子 为具有 艿力矩 的摆方程 ，讨论 了无扰动系统的相平 束外延或其它方法制备超 晶格时 ，由于两种材料的 面特征 ，数值计算了扰动系统的粒子退道效应，导 晶格常数略有不同，相邻两层 问的晶格常数不能完 出了系统 的退道系数及退道系数与晶格形变之 间的 全匹配 ，在界面处 出现拉伸或压缩形变Ez3．正是这 关系． 种形变使沟道方 向在界面处发生 “扭折”．于是，通 常情况下 的直沟道变成 了弯 (折)沟道．沟道粒子在 1 运动方程 界面处受到 艿力矩 的作用 ，使粒子运动方 向发生突 选择 图 1所示的坐标系 ，对于各层等厚 (Z)的 然变化．粒子运动 的这种特征可 以用数学语言表述 超 晶格 ，粒子运动方程可表示为 为在界面上粒子轨道连续 ，一阶导数不连续． 由于超 晶格半导体具有特殊 的光 电特征 ，引起 + (z)- (_ 1)j△ 卜 )， 了人们对它的极大关注．因为材料、组分和层厚等 (1) 均可 以人为控制 (在原子和分子尺度上)，可望得到 其 中z是粒子偏离沟道 中心平面的