基于聚焦离子束技术的可见光光子调控-电子学报.PDF

第１期 电　　子　　学　　报 Ｖｏｌ．４７　Ｎｏ．１ ２０１９年１月 ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｊａｎ．　２０１９ 基于聚焦离子束技术的可见光光子调控 １，２ ３ １ １ ３ １ 蔡　玮 ，邢　远 ，施　政 ，袁佳磊 ，贾志宏 ，王永进 （１．南京邮电大学 ＰｅｔｅｒＧｒüｎｂｅｒｇ研究中心，江苏南京２１０００３；２．南京工程学院计算机工程学院，江苏南京２１１１６７； ３．重庆大学 材料科学与工程学院，重庆４０００４４） 　　摘　要：　采用晶圆级工艺，制备了一种单片集成光源和直波导的硅基氮化镓光电集成器件，结合聚焦离子束技 术，使用Ｇａ离子束在直波导上刻蚀形成了一个布拉格反射镜（ＤＢＲ），并对器件的光子调控功能进行研究．特殊的Ｉｎ ＧａＮ波导结构使得器件在制备过程中不再需要复杂的硅移除和晶片背面减薄工艺，硅衬底可以保持完整．实验结果表 明，作为光源的多量子阱发光二极管（ＭＱＷＬＥＤ）具有良好的电流电压特性．ＭＱＷＬＥＤ开启后部分光子耦合进直波 导，被限制在波导内向前传输，在ＤＢＲ处发生全反射并部分衍射到自由空间中．由器件的电致发光光谱可知，制备在 波导上的ＤＢＲ对波导内传输的光子进行了有效调控． 关键词：　硅基氮化镓；多量子阱发光二极管；波导；布拉格反射镜 中图分类号：　ＴＮ９１１　　　文献标识码：　Ａ　　　文章编号：　０３７２２１１２（２０１９）０１０２５２０５ 电子学报ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｊｏｕｒｎａｌ．ｏｒｇ．ｃｎ　 ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．０３７２２１１２．２０１９．０１．０３４ ＶｉｓｉｂｌｅＬｉｇｈｔＰｈｏｔｏｎＭｏｄｕｌａｔｉｏｎＢａｓｅｄｏｎＦｏｃｕｓｅｄＩｏｎＢｅａｍＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ １，２ ３ １ １ ３ １ ＣＡＩＷｅｉ ，ＸＩＮＧＹｕａｎ，ＳＨＩＺｈｅｎｇ，ＹＵＡＮＪｉａｌｅｉ，ＪＩＡＺｈｉｈｏｎｇ，ＷＡＮＧＹｏｎｇｊｉｎ （１．ＧｒüｎｂｅｒｇＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｒｅ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＰｏｓｔｓａｎｄＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，ＮａｎｊｉｎｇＪｉａｎｇｓｕ２１０００３，Ｃｈｉｎａ； ２．ＳｃｈｏｏｌｏｆＣｏｍｐｕｔｅｒＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＮａｎｊｉｎｇＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＮａｎｊｉｎｇＪｉａｎｇｓｕ２１１１６７，Ｃｈｉｎａ； ３．ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＭａｔｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ４０００４４，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：　ＯｎｃｈｉｐｐｈｏｔｏｎｉｃｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎｏｆｌｉｇｈｔｓｏｕｒｃｅａｎｄｓｔｒａｉｇｈｔｗａｖｅｇｕｉｄｅｏｎｔｈｅＧａＮｏｎｓｉｌｉｃｏｎｐｌａｔｆｏｒｍｉｓｆａｂ ｒｉｃａｔｅｄｂｙｗａｆｅｒｌｅｖｅｌｔｅｃｈｎｉｑｕｅ．Ｗｉｔｈｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍ，ａｈｉｇｈｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇｇｒｅｆｌｅｃｔｏｒ（ＤＢＲ）ｉｓｅｔｃｈｅｄｏｎ ｔｈｅｓｔｒａｉｇｈｔｗａｖｅｇｕｉｄｅｕｓｉｎｇａＧａｉｏｎｂｅａｍ．Ａｎｄｔｈｅｐｈｏｔｏｎｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｆｕｎｃｔｉｏｎｏｆｔｈｅｄｅｖｉｃｅｉｓｓｔｕｄｉｅｄ．Ｃｏｍｐｌｉｃａｔｅｄｂａｃｋ ｓｉｄｅａｌｉｇｎｍｅｎｔａｎｄｅｔｃｈｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓｅｓａｒｅｓａｖｅｄａｎｄｓｉｌｉｃｏｎｓｕｂｓｔｒａｔｅｃａｎｂｅｋｅｐｔｉｎ