多晶硅太阳电池激光掺杂选择性发射极-光子学报.PDF

第 卷第 期 光 子 学 报 ４３ ６ 　 　 　 Ｖｏｌ．４３Ｎｏ．６ 年 月 　　　　　　　　　　　　 ２０１４ ６ ＡＣＴＡＰＨＯＴＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｊｕｎｅ２０１４ ： ／ 犱狅犻１０．３７８８ ｚｘ０６１４００４ ｇ 多晶硅太阳电池激光掺杂选择性发射极 ， １ ２ １２ ２ 王雪 ，豆维江 ，秦应雄 ，巨小宝 （ 华中科技大学 光学与电子信息学院，武汉 ） １ ４３００７４ （ 西安黄河光伏科技股份有限公司，西安 ） ２ ７１００４３ 摘 要：研究了多晶硅片扩散工艺与激光掺杂工艺的匹配性 采用波长 的纳秒脉冲激光器对扩 ． ５３２ｎｍ 　 散后未去磷硅玻璃的多晶硅片表面进行激光扫描掺杂，激光扫描掺杂后硅片方块电阻降低为扩散后硅 片方阻的５０％左右，而且随着激光功率的增加，扩散到硅片表面的磷原子浓度增大，硅片方阻下降更明 显 测试了激光掺杂后多晶硅太阳能电池的外量子效率，其外量子效率在 波段范围与常规 ． ３４０ ４８０ｎｍ ～ 多晶硅太阳能电池相比提高 研究了激光掺杂后多晶硅电池的光电转换特性，分析了较高激 １８％ ５％． ～ 光功率掺杂时多晶硅电池的失效特性，结果表明：优化工艺后多晶硅太阳电池平均光电转换效率达到 １７．１１％，比普通工艺多晶硅太阳电池提高０．３４％，最高转换效率达到 １７．４７％．激光掺杂选择性发射极 工艺流程简单，电池效率提升明显，易于实现产业化． 关键词：多晶硅太阳电池；扩散；选择性发射极；激光掺杂；方块电阻；外量子效率；转换效率；失效特性 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） Ａ １００４４２１３２０１４０６０６１４００４５ 　　　 　　　 犔犪狊犲狉犱狅犲犱犛犲犾犲犮狋犻狏犲犈犿犻狋狋犲狉狅犳犘狅犾犮狉狊狋犪犾犾犻狀犲犛犻犾犻犮狅狀犛狅犾犪狉犆犲犾犾 狆 狔 狔 ， １ ２ １２ ２ ， ，