微晶硅薄膜晶体管稳定性研究!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’’ $ ) $ ， ， ， +O? *’’ AO * $ 9MIM@UMJ ) （ ） $,!SB)B’’ $ B))$,’ 0460 /=1;T40 ;TAT40 !) 4V * /VKF * ;OI * 微晶硅薄膜晶体管稳定性研究! 李 娟 吴春亚 赵淑云 刘建平 孟志国 熊绍珍 （南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津 !#$） （南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津 !#$） （南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室，天津 !#$） 张 芳 （科学技术部高技术研究发展中心，北京 $%% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’ $ ( ) ( $ 对有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅薄膜晶体管，测试其偏压衰退特性时，观察到一种“自恢复”的衰退现 象 当栅和源漏同时施加 的偏压时，测试其源 漏电流随时间的变化，发现源 漏电流先衰减、而后又开始恢复 * $ + , , 上升的反常现象 而当采用栅压为 、源 漏之间施加零偏压的模式时，源 漏电流随时间呈先是几乎指数式下降、 * $ + , , 随之是衰退速度减缓的正常衰退趋势 就此现象进行了初步探讨 * * 关键词：过渡区硅材料，微晶硅薄膜晶体管，稳定性，自恢复衰退 ： ， ， ， !## #!) #!)- #!). #!)/ 进行初步探讨，以期探索该类 6-6 能否适用于 $5 引 言 7.89 的有源驱动* 在有源选址的显示技术中，薄膜晶体管（ ） 6-6 5 实 验 的稳定性一向是备受关注的问题，尤其在有机发光 用与 ： （氢化非晶硅） 类同的 块掩模 显示领域 这是因为在像素电路中，驱动 管的 :,; = 6-6 % * 6-6 板工艺来制备底栅 型微晶硅 先蒸发 膜作 源漏电极和有机发光二极管（ ）串连构成耦合 6-6 * 0? 7.89 对，其中任何一个器件的衰退必然导致另一个输出 栅极金属并光刻出电极图形；然后在等离子体增强 特性的变化，这样 7.89 本身的不稳定再受到驱动 化学气相沉积系统中沉积厚度为 @ 的;A!