第二章 真空蒸发(蒸发镀膜).pptVIP

合金及化合物的蒸发 适当控制蒸镀室的真空度，直流电弧放电可持续较长时间。这种方法可用于金属膜的蒸镀，也可用于铁氧体等氧化膜的蒸镀。 把烧结的铁氧体块体放入真空度为10-5Torr的蒸镀室内，使块体表面朝上，Mo电极棒与块体表面接触，加直流电压110V。当接触部位熔化时，将Mo电极稍微拉离表面就会引起电弧放电，使铁氧体蒸发。 为了维持放电，需要有10-6-10-7 Torr的真空度和5-15A的放电电流。构成铁氧体的金属元素有不同的蒸发温度，因此得到的蒸镀膜是不均匀的，但将其在空气加热至1250一1350℃就会形成均质薄膜。 母材的组成与膜的组成是有差别的，适当选择母材组成就可以得到符合组成要求的铁氧体薄膜。 合金及化合物的蒸发 热壁法 为获得良好的外延生长膜，人们研究了热壁外延生长法。 热壁法是利用加热的石英管间接加热蒸发材料，使其蒸发，在衬底上形成薄膜。 热壁法的主要结构是在热管(热壁)的上端安装基片，在热管下端安装蒸发源，热管起着输运蒸气和使蒸气温度保持均匀的作用。热管结构是封闭的，因此可以防止蒸气向外部散失，并可控制组分的蒸气压。 合金及化合物的蒸发 热壁法的最大特点是在热平衡状态下成膜。 可以形成超晶格结构。 合金及化合物的蒸发 激光蒸发法的特点： 激光加热可以达到极高的温度，可蒸发任何高熔点材料，且获得很高的蒸发速率； 非接触式加热，完全避免了蒸发源的污染，简化了真空室，非常适合在超高真空下制备高纯薄膜； 能对某些化合物或合金进行“闪烁”蒸发，有利于保证薄膜成分的组成和防止分解，是淀积介质薄膜、半导体薄膜和无机化合物薄膜的好方法。 膜厚和淀积速率的测量与监控 薄膜厚度是薄膜最重要的参数之一，它影响着薄膜的各种性质及其应用。 薄膜淀积速率是制膜工艺中的一个重要参数，它直接影响薄膜的结构的特性。 重点：薄膜厚度的测量和监控。 膜厚和淀积速率的测量与监控 ★ 膜厚的分类 厚度：是指两个完全平整的平行平面之间的距离。 理想薄膜厚度：基片表面到薄膜表面之间的距离。 由于薄膜具有显微结构，要严格定义和精确测量薄膜厚度，实际上比较困难的。 薄膜厚度的定义是与测量方法和目的相关的。 膜厚和淀积速率的测量与监控 膜厚和淀积速率的测量与监控 衬底的平均表面 薄膜形状表面 质量等价表面 物性等价表面 膜厚和淀积速率的测量与监控 形状厚度dT是接近与直观形式的厚度。 质量厚度dM反映了薄膜中质量的多少。 物性厚度dP实际使用较少。 膜厚和淀积速率的测量与监控 ★ 称重法 微量天平法：采用微天平直接测量基片上的薄膜质量，得到质量膜厚。 使用高灵敏度微天平可检测的膜厚质量为1×10-7kg／m2。这一膜厚质量相当于单原子层普通薄膜物质的l／20至几分之一。从可以检测基片上微量附着量的意义上说，微天平是膜厚测量中最敏感的方法。 这种方法是直接测量，其测量值是可靠的。可以在蒸镀过程中进行膜厚测量，有效用于膜厚监控。该法可用于薄膜制作初期膜厚测量和石英晶体振动子的校正，也可用于基片上吸附气体量的测量。 膜厚和淀积速率的测量与监控 优点：灵敏度高，能测量淀积质量的绝对值；能在比较广的范围内选择基片材料；能在淀积过程中跟踪质量的变化。 存在问题：不能在一个基片上测量厚度分布；由于薄膜的密度与体材料不同，实测的薄膜厚度稍小于实际厚度。其应用目前还没有普及，原因是需要极纯熟的操作技术和系统构成技术条件（常用石英丝扭转天平）。 习题、思考题 什么是饱和蒸气压、蒸发温度？ 克-克方程及其意义？ 蒸发速率、温度变化对其影响？ 平均自由程与碰撞几率的概念。 点蒸发源和小平面蒸发源特性？ 拉乌尔定律？如何控制合金薄膜的组分？ MBE的特点？ 膜厚的定义？监控方法？ 从网上找出一种商业化的膜厚测量仪，并写出其主要性能参数。 第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 在基板平面内薄膜厚度分布： 当 在点源正上方，即 时，膜层厚度 为： 第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 ★ 小平面蒸发源 这种蒸发源的发射特性具有方向性，使得在 角方向蒸发的材料质量和 成正比。 第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 当 在点源正上方，即 时，膜层厚度 为： 在基板平面内薄膜厚度分布： 第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 点源： 小平面源： 第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 第二节