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第 35 卷 第 6 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.35 No.6
20 16 年 6 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Jun. 20 16
研 究 与 试 制
脉冲激光沉积法制备 ZnSnO3 薄膜
郑林辉，朱 俊，刘小辉，房丽彬
（电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610051）
摘要: 采用脉冲激光沉积法 （PLD ），在 Pt/Ti/SiO /Si 衬底上制备 LiNbO 型 ZnSnO 薄膜。通过改变生长过程中
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的氧气压、生长温度等实验条件，研究制备薄膜的最佳工艺参数。利用 X 射线衍射仪 （XRD ）、原子力显微镜 （AFM ）
和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行分析。研究表明，在 Pt/Ti/SiO /Si 衬底上制备 ZnSnO 薄膜优化条件是氧气压
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30 Pa、沉积温度 600 ℃，并使用 ZnO 作为缓冲层。优化条件下制备的 ZnSnO3 薄膜有良好的 （006 ）取向，与 ZnSnO3
单晶衍射峰位置一致。
关键词: 脉冲激光沉积法；LiNbO 型 ZnSnO ；微观结构；氧气压；沉积温度；ZnO
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doi: 10.14106/ki.1001-2028.2016.06.010
中图分类号: O484 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （20 16）06-0048-04
Preparation of ZnSnO thin films by pulsed laser deposition
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ZHENG Linhui, ZHU Jun, LIU Xiaohui, Fang Libin
(School of Microelectronic and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China,
Chengdu 610051, China)
Abstract : The LiNbO type ZnSnO thin films w
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