高反射率电极及n—GaN表面粗化的InGaN／GaN多量子阱LED的研制.PDF

SEMIC0NDUCToR 0PT0ELECTRoNICS V0I．36No．3 June2015 高反射率电极及 n—GaN表面粗化的 InGaN／GaN多量子阱LED的研制 林秀其，柳铭 岗，杨亿斌，任 远 ，陈扬翔，向 鹏，陈伟杰， 韩小标 ，藏文杰，林佳利， 罗 慧，廖 强，张佰君 (中山大学 物理科学与工程技术学院 光电材料与技术国家重点实验室 。广州 510275) 摘 要： 采用高反射率的 Cr／A1／Pd／Au作为 LED的p-GaN和 n—GaN金属电极，替代低反 射率的 Cr／Pd／Au电极，减 小了金属 电极对光的吸收，使入射到高反射率金属电极的光经过反射后 增加 了出射概率，提高了光萃取效率。通过进一步粗化 n—GaN表面，抑制 了n—GaN／空气界面的光 全反射，提高了光萃取效率。实验结果表明，在 350mA 电流下，采用高反射率的Cr／A1／Pd／Au电 极的LED相比传统电极 LED光输 出增加 了l4．3 ；结合 n—GaN表面粗化 ，LED的光输 出则增加 了35．3％。 关键词 ： 高反射率电极 ；表面粗化；光萃取效率 中图分类号：TN312．8 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—5868(2015)03—0382—04 InGaN／GaNMultipleQuantum WellsLEDswithHighReflective ElectrodePadsandRoughenedn-GaN Surface LIN Xiuqi，LIU M ingang，YANG Yibin，REN Yuan，CHEN Yangxiang，XIANG Peng， CHEN Weijie，HAN Xiaobiao，ZANGWenjie，LIN Jiali，LUOHui，LIAO Qiang。ZHANGBojun (StateKeyLab．ofPhotoelectricMaterialandTechnology，CollegeofPhysicalScienceand Polytechnics，SunYat-senUniversity，Guangzhou510275，CHN) Abstract： Inthispaper，highreflectiveCr／A1／Pd／AumetalswereadoptedasPandn—type electrodepadsinsteadofthelOW reflectiveCr／Pd／Au．MostofthephotonsemittingtoCr／A1／ Pd／Aumetalswerereflected，whichincreasestheprobabilityoflightemittingoutofLED and improvesthelightextraction efficiency (LEE)．Combiningwith theroughenedn-GaN surface， thetota1interna1reflectionattheinterfacebetweenn—GaN andairwasinhibitedandtheLEEwas furtherimproved．IncomparisontoLEDwithCr／Pd／Auelectrodepads，thelightoutputofLED withCr／A1／Pd／Auelectrodepadswasenhancedby14．3 ataninjectioncurrentof350mA。 furthermore，thelightoutputofLEDwithCr／A1／Pd／Auelectrodepadsandroughenedn—GaN layerisimprovedby35．3 ． Keywords： highreflectiveelectrodepads；roughenedsurface；lightextraction efficiency 0 引言