基于三层绝缘层的柔性有机场效应晶体管的制备与研究-光学工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 南京邮电大学学位论文原创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得 的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包 含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得南京邮电大学或其它 教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的 任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 本人学位论文及涉及相关资料若有不实，愿意承担一切相关的法律责任。 南京邮电大学学位论文使用授权声明 本人授权南京邮电大学可以保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印 件和电子文档；允许论文被查阅和借阅；可以将学位论文的全部或部分内容编 入有关数据库进行检索；可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本 学位论文。本文电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。论文的公布（包括 刊登）授权南京邮电大学研究生院办理。 涉密学位论文在解密后适用本授权书。 摘要 柔性低电压高性能有机场效应晶体管的研究对于实现柔性低功耗，大面积制备有机电子 器件和存储器件起着至关重要的作用。目前广泛研究的柔性有机晶体管存在制备工艺复杂， 操作电压较大，迁移率较低等问题，制备得到的柔性有机晶体管也面临着在实际电路中运用 的稳定性问题，例如偏压稳定性、热稳定性以及机械稳定性等，因此研究利用简便的旋涂聚 合物材料制备可实现低电压操作并具备高迁移率高稳定性的柔性晶体管具有重要意义。 基于课题组前期工作研究，我们以 PET 作为柔性衬底，研究不同绝缘层的制备工艺，通 过对比分析绝缘层的粗糙度和接触角，并五苯生长形貌和器件的电学性能，不断的优化实验 找到了最优的绝缘层结构。最优结果为采用 PMMA/PVP/PMMA 作为绝缘层，采用并五苯作 为有机半导体层制备了可实现柔性低电压高性能的有机场效应晶体管。器件工作电压在 5 V 以内，迁移率可达到 1.2 cm2/Vs，阈值电压为-1.3 V，开关比为 106，达到了可以驱动低压设 备的性能标准。单层的 PMMA 绝缘层器件存在迁移率较低和不稳定的问题，加入 PVP 修饰 后性能得到提高，但由于 PVP 材料的问题带来了回滞问题。三层绝缘层结构中，顶层的 PMMA 为疏水性绝缘层，不仅进一步降低了绝缘层整体的粗糙度，改善了绝缘层的亲水性问题，隔 绝了空气中水氧和半导体层电荷进入绝缘层导致的器件性能不稳定。从 AFM 上可知，三绝缘 层为无孔光滑的绝缘层，其上生长的并五苯晶粒最大，相应的载流子迁移率也最大。我们分 别对器件进行了偏压测试，热稳定测试和机械稳定性测试。测试结果表明三层绝缘层的器件 具有最好的耐偏压性能，在 5 V 偏压下作用 1200 s 输出电流没有明显的衰减，施加偏压前后 器件的阈值电压变化只有 0.07 V。对器件进行热稳定测试，从 20 ℃一直加热到 120 ℃，每 种温度均加热 2 小时，保证器件充分受热。实验结果表明三绝缘层器件可承受 100 ℃的高温 2 小时并且在高温下仍然具有良好的器件性能，对于加热后的电学性能的变化进行详细分析， 并提出了相应的机理解释实验现象。机械稳定性测试中我们分别采用不同的弯曲方式垂直沟 道和平行沟道，不同的弯曲保持状态下静置 2 小时等测试。实验表明器件在连续 1000 次的机 械弯曲状态下，无论是垂直沟道还是平行沟道弯曲性能基本保持稳定，在弯曲保持状态下静 置 2 小时后，阈值电压变化在 0.5 V 以内，整体显示出良好的低压操作及性能稳定性。我们所 研究得到的三层绝缘层柔性低电压有机场效应晶体管具有良好的电学性能和稳定性，为柔性 低电压有机场效应存储器的研究提供了新的思路。 关键词: 柔性低电压有机晶体管，高性能，偏压稳定，热稳定，机械稳定性， I Abstract The research of flexible low voltage high performance OFETs plays a vital role for flexible low power consumption devices, large area of organic electronic components and memory devices. The extensive existing research of flexible OFETs are complex with large operating voltage, the mobility of the devices are relatively low, the preparation of flexible OFETs are faced with the problems of stability in t