课件：第讲气体电介质的绝缘特性二分解.ppt

随着输电电压的提高，电晕问题也越来越突出。 在保持同样电流密度的条件下，导线截面积 导体表面电场 减小电晕的方法 降低导线表面场强的方法：增大线间距离d或增大导线半径r。 一般采取适当增大导线直径的办法 为节省导线材料，通常采用分裂导线的解决办法，即每相导线由2根或2根以上的导线组成。使得导线表面场强得以降低。 电晕影响的两面性 不利影响 ：能量损失；放电脉冲引起的高频电磁波干扰；化学反应引起的腐蚀作用等 有利方面：电晕可削弱输电线上雷电冲击电压波的幅值及陡度；利用电晕放电改善电场分布，提高击穿电压 ；利用电晕放电除尘与臭氧发生器等 1.3.3 极不均匀场中的放电过程 一、非自持放电阶段 高场强——电离——电子崩 阳极积聚正电荷，减小了棒极表面附近的电场，略微加强了外部空间的电场 棒极表面附近电场被削弱，难以造成流注，电晕放电难以形成，放电难以自持 二、流注发展阶段 随着电压升高，头部电场增强 ——新电子崩 ——流注及其头部的正电荷向前移动，好像把棒极向前延伸，促进流注发展 三、先导放电阶段 条件：间隙距离较长（如大于1m），在流注通道还不足以贯通整个间隙的电压作用下，仍可能发生击穿。当外施电压一定时，高电压使棒极附近电场很高，在棒极前方较大范围内都可能产生强烈电离，形成电子崩和流注。 通道根部的电子最多——流注根部温度升高——出现热电离——先导通道（具有热电离过程的通道）。 新的电离过程使电离加强，电导增大，从而加大了其头部前沿区域中的场强，引起新的流注，导致先导通道不断伸长。 四、主放电过程 先导头部发展到非常接近板极时，小间隙中的高场强引起强烈电离，带电粒子浓度高。 新出现的等离子体大致具有极板电位，强电离区迅速向阳极传播，强电离通道也迅速向前推进——主放电过程。 主放电通道贯穿电极间隙——击穿。 特点：由于其头部场强极大，所以主放电通道发展速度及电导都远大于先导通道。 １——主放电通道 ２——主放电和先导通道的交界区 ３——先导通道 1.3.4 极不均匀场中的极性效应 正棒－负板 电子运动速度快，迅速进入棒极； 棒极附近积聚起正空间电荷，削弱了棒极附近的电场强度而加强了正离子群外部空间的电场 结果： （1）棒极附近的流注难以形成，电晕起始电压提高。 （2）外部空间电场加强，有利于流注的发展，因此击穿电压较低。 负棒—正板 电子崩中的电子离开强电场区后，不再能引起电离，向阳极运动的速度也越来越慢。 电子崩中的正离子加强了棒极附近的场强，使棒极附近容易形成流注。 结论： （1）电晕起始电压比正极性时要低。 （2）正空间电荷产生的附加电场与原电场方向相反，削弱了外部空间的电场，阻碍了流注的发展，因此击穿电压较高。 后面内容直接删除就行 资料可以编辑修改使用 资料可以编辑修改使用 资料仅供参考，实际情况实际分析 * * 高电压技术 第2讲回顾 带电粒子的产生与消失 汤逊理论 巴申定律 汤逊理论的适用范围 第3讲 气体电介质的绝缘特性（二） 1.2.5 流注理论 在高气压长间隙条件下的气体放电理论 特点：认为电子碰撞电离及空间光电离是维持自持放电的主要因素，并强调了空间电荷畸变电场的作用 通过大量的实验研究（主要在电离室中进行的）说明放电发展的机理 电离室 电离室结构示意图 1－照射火花间隙；2－石英窗；3－电极 4－玻璃壁；5－橡皮膜；6－绝缘柱 研究放电时的电路图 N－电离室；S－火花间隙； L、L、K－短路回路 电子崩阶段 空间电荷畸变外电场 流注阶段 光电离形成二次电子崩，等离子体 （1） 电子崩阶段 （a）初始电子崩 电子崩头部接近阳极时，崩头电子和崩尾正离子数目总数剧增，崩头崩尾电场都急剧增强。那么崩头的强烈电离也伴随强烈的激励和反激励，并向周围放射光子； 崩中部的弱电场也为分子吸附电子及正负离子复合提供条件，强烈的复合也放射出大量光子； （一）流注理论 （b）二次电子崩 光子使附近的气体因光电离而产生二次电子 它们崩尾局部增强的电场中，又形成新的电子崩，即二次电子崩 （2）流注的形成和发展 二次电子崩中头部的电子向初始电子崩的正空间电荷区域运动，并与之汇合成为充满正负带电粒子混合通道，且通道中正负粒子密度大致相等，这种等离子体——流注。 流注是导电良好的等离子体，其头部又是二次电子崩形成的正电荷，因此流注头部前方电场大为增加，电离过程更激烈。 （3）间隙的击穿 流注不断向阴极方向发展，流注通道不断延伸 流注发展到阴极，间隙被导电良好的等离子通道所贯通——间隙击穿 从整个间隙的放电发展来看，二次电子崩是逐步由阳极向阴极扩展的，这一个过程称为正流注，即从正极出发的流注。 在电离室中得到的初