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半导体材料 绪论 1、半导体的主要特征 （1）电阻率大体在10-3~10 （2）电阻率的温度系数是负的 （3）通常具有很高的热电热 （4）具有整流效应 （5）对光具有敏感性，能产生光伏效应或光电效应 2、三代半导体材料的主要代表 第一代：Si 第二代：GaAs 第三代：GaN 3、纯度及其表示方法 纯度：表征半导体材料中杂质含量多少的一个物理量 表示方法： ppm:1个ppm相当于百万分之一 m(million) ppb:1个ppb相当于十亿分之一 b(billion) 4、半导体材料的分类 硅和锗的化学制备 1、高纯硅的制备方法 （1）三氯氢硅氢还原法 （2）硅烷法 2、硅烷法制备高纯硅的优点 （1）制取硅烷时，硅烷中的杂质容易去除 （2）硅烷无腐蚀性，分解后也无卤素及卤化氢产生，降低对设备的玷污 （3）硅烷热分解温度低，不使用还原剂，有利于提高纯度 （4）制备的高纯多晶硅的金属杂质含量很低 （5）用硅烷外延生长时，自掺杂低，便于生长薄的外延层 区熔提纯 分凝现象与区熔提纯 将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中浓度是不同的，这种现象叫分凝现象 区熔提纯是利用分凝现象将物料局部熔化形成狭窄的熔区，并令其沿锭长从一端缓慢地移动到另一端，重复多次使杂质尽量被集中在尾部或头部，进而达到使中部材料被提纯的技术 平衡分凝系数与有效分凝系数 杂质在固相与液相接近平衡时，固相中杂质浓度为CS，液相中杂质浓度为CL，它们的比值称为有效分凝系数K0，即 K 为了描述界面处薄层中杂质浓度偏离对固相中杂质浓度的影响，通常把固相杂质浓度CS与熔体内部的杂质浓度CL0的比值定义为有效分凝系数Keff,即 K 正常凝固和区熔法中的杂质分布情况 对于K1的杂质，其浓度越接近尾部越大，向尾部集中 对于K1的杂质，其浓度越接近头部越大，向头部集中 对于K≈1的杂质，基本保持原有的均匀分布的方式 能否无限区熔提纯 不能 经过多次区熔提纯后，杂质分布状态将达到一个相对稳定且不再改变的状态，把这种极限状态叫做极限分布或最终分布 熔区长度 在实际区熔时，最初几次应该用大熔区，后几次用小熔区的工艺条件 晶体生长 晶体生长的热力学条件 系统处于过冷状态，体系自由能ΔG0时，才可能进行相转变生长晶体 均匀成核与非均匀成核 均匀成核：在一定的过饱和度、过冷度的条件下，由体系中直接形成晶核 非均匀成核：在体系中存在外来质点，在外来质点上成核 均匀成核中的临界晶核（胚）以及生成临界晶核的条件 临界晶核 是指新相胚芽可以与母相达到平衡从而可以存在的晶核 形成临界晶核的条件 要想形成临界晶核，其自由能的降低量必须达到晶核表面能的1/3，才能越过表面能势垒，形成稳定晶核 晶体的形核能 在临界状态下成核必须提供其体系1/3的表面能，这部分能量应由外界提供，称这部分能量为形核能（功） 硅单晶直拉生长法 在直拉单晶炉内，向盛有熔硅坩埚中，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制热场，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，单晶便在籽晶下按籽晶的方向长大 第四章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 掺杂方式 元素掺杂：直接将纯元素加入到制备的单晶材料 合金掺杂：将掺杂的元素与要制备的单晶材料制成合金，根据合金中掺杂的含量加入相应的合金 掺杂量的计算 材料的电阻率ρ与杂质浓度CS的关系 ρ=1 式中μ为电子（或空穴）迁移率 杂质分布为 CS=KC0 由（4-1）及（4-2）可得某一位置g处的电阻率与原来熔体中杂质浓度C0的关系 ρ=1eμKC 如果要拉w克锗，则所需加入的杂质量m为 m=C0wAdN 式中，d为锗的密度，N0为阿佛加德罗数，A是杂质的摩尔质量，K为杂质的分凝系数 位错对器件的影响及来源 影响 金属杂质极容易在位错上沉淀，破坏PN结的反向特性 在应力作用下，位错处出现增强扩散 位错引起噪声增加 来源 在单晶生长时籽晶（或衬底）中含有位错，而且位错露头在生长面上，因位错线不能在晶体内部中断，它们将随着晶体的生长由籽晶延伸到新生长的晶体中，直到与晶体表面相交时为止，这叫位错遗传 由于应力引入位错 硅单晶中的微缺陷 指无位错单晶在生长方向的横断面经西特尔（Sirtl）腐蚀液腐蚀后，所观察到的呈漩涡状分布的宏观缺陷花纹，故俗称漩涡缺陷 第五章 硅外延生长 外延生长的定义及特点 定义 在一定条件下，在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法 特点 可以在低（高）阻衬底上外延生长高（低）阻外延层 可以在P（N）型衬底上外延生长N（P）型外延层，直接形成PN结，而不存在用扩散法在单晶基片制作PN结时的补偿的问题 与掩膜技术结合，在指定的区域进行选择外延生长，为集成电路和结构特殊的器件的制作创造了条件 可以在外延生长过程中根据需要改变掺