光刻与刻蚀工艺课程实例.ppt

Etch Polysilicon刻蚀多晶硅 Etch Polysilicon 继续 Strip Photoresist 光刻胶剥离 光刻10－图形检测（Pattern Inspection） ? 检查发现问题，剥去光刻胶，重新开始 – 光刻胶图形是暂时的 – 刻蚀和离子注入图形是永久的 ? 光刻工艺是可以返工的， 刻蚀和注入以后就不能再返工 ? 检测手段：SEM（扫描电子显微镜）、光学显微镜 问题 为什么不能用光学显微镜检查0.25um尺寸的图形? 因为特征尺寸 (0.25 mm = 250nm) 小于可见光的波长，可见光波长为390nm (紫光) to 750nm (红光) 图形检测 未对准问题：重叠和错位 - Run-out, Run-in, 掩膜旋转，晶圆旋转，X方向错位，Y方向错位 临界尺寸Critical dimension (CD)（条宽） 表面不规则：划痕、针孔、瑕疵和污染物 未对准问题 图形检测 通过图形检测，即可进入下一步工艺 刻蚀或离子注入 光刻间全部流程 未来趋势 Future Trends 更小特征尺寸 Smaller feature size 更高分辨率 Higher resolution 减小波长 Reducing wavelength 采用相移掩膜 Phase-shift mask 光衍射 光衍射影响分辨率 衍射光 投射光强度 衍射光的减小 波长越短，衍射越弱 光学凸镜能够收集衍射光并增强图像 偏离的折射光 被凸镜收集的衍射光 数值孔径（Numerical Aperture：NA） NA：表示凸镜收集衍射光的能力 NA = 2 r0 / D – r0 : 凸镜的半径 – D ： 目标（掩膜）与凸镜的距离 NA越大，凸镜收集更多的衍射光，产生更尖锐的图形 分辨率 Resolution 表征光刻精度； 定义－光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。 表示方法：每mm最多可容纳的线条数。若可分辨 的最小线宽为L（线条间隔也L），则 R＝1/(2L) (mm-1) R由曝光系统的光波长λ和数值孔径NA决定， R=K1λ/NA 注：这里的R就是最小线宽L。 K1 为系统常数, λ光波长, NA = 2 r0/D； NA: 凸镜收集衍射光的能力 举例1 K1 = 0.6， R=K1λ/NA 提高分辨率 提高NA – 更大的凸镜, 可能很昂贵而不实际 – 减小DOF（焦深），会引起制造困难 减小光波长 – 开发新光源, PR和设备 – 波长减小的极限：UV到DUV, 到EUV, 到X-Ray 减小K1 – 相移掩膜（Phase shift mask） 波长与电磁波频率 RF: Radio frequency; MW: Microwave; IR: infrared; UV: ultraviolet 焦深(Depth of focus，DOF) 光焦点周围能获得清晰图形的范围 焦深的表达式: DOF=K2λ/[2(NA)2] 举例2 K2 = 0.6， DOF=K2λ/[2(NA)2] 0.363 0.161 I线和DUV（熟悉） 汞灯i-line, 365 nm – 常用在 0.35 mm光刻 DUV KrF 受激准分子激光器, 248 nm – 0.25 mm, 0.18 mm and 0.13 mm光刻 ArF受激准分子激光器,193 nm – 应用: 0.13 mm F2受激准分子激光器： 157 nm – 仍处于研发阶段, 0.10 mm应用 I线和DUV 当l 180 nm 时SiO2 会强烈吸收UV光 不能再使用石英作为掩膜和凸镜的材料 157 nm F2激光器光刻 – 低OH浓度的熔融石英, 氟掺杂石英, 氟化钙(CaF2), – 使用相移掩膜, 即使0.035 mm 都是可以的 下一代光刻Next Generation Lithography (NGL) 超紫外Extreme UV (EUV) lithography X射线X-Ray lithography 电子束Electron beam (E-beam) lithography 未来趋势 相移掩膜（ Phase Shift Mask） d(nf - 1) = λ/2 nf : 相移涂层的折射率 薄膜 铬图形 相移涂层 相移掩膜(PSM)应用 EUV 超紫外 l = 10 到14 nm 更高分辨率 预期应用 ~ 2010年 0.1 mm 和以下 X