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芯片制造的生产环境 每一个硅片表面有许多个微芯片，每一个芯片又由数以百万计的器件和互连线组成 随着芯片的特征尺寸缩小，对沾污变得越来越敏感，对沾污的控制越来越重要 具估计80%芯片的电学失效是由沾污带来的缺陷引起的，电学失效引起成品率下降，导致芯片成本增加。 为控制芯片制造过程中不受沾污，芯片制造都是在净化间中完成。 净化间本质上是一个净化过的空间，它以超净的空气把芯片制造与外界沾污环境隔离开来，包括化学品、人员和常规工作环境。 芯片制造的生产环境1 净化间沾污类型 颗粒 金属杂质 有机物沾污 自然氧化层 静电释放（ESD） 芯片制造的生产环境2 净化间剪影 半导体加工工艺原理 概述 半导体衬底 热氧化 扩散 离子注入 光刻 刻蚀 化学气相淀积 物理淀积 外延 工艺集成 CMOS 双极工艺 BiCMOS 热氧化 SiO2的基本特性 热SiO2是无定形的 密度 = 2.2 gm/cm3 分子密度 = 2.3E22 molecules / cm3 晶体 SiO2[Quartz] = 2.65 gm/cm3 良好的电绝缘材料 Resistivity 1E20 ohm-cm 带隙 Energy Gap ~ 9 eV 高击穿电场 10MV/cm 热氧化 SiO2的基本特性 稳定和可重复的Si/SiO2界面 硅表面的生长基本是保形的 热氧化 SiO2的基本特性 杂质阻挡