硅纳米线阵列的制备及其在太阳能电池中的应用-材料学专业论文.docxVIP

Classified Index: TB383 U.D.C: 620 Dissertation for the Master Degree in Engineering PREPARATION OF THE SILICON NANOWIRES ARRAY AND ITS APPLICATION IN SOLAR CELL Candidate： Shuo Wang Supervisor： Prof. Huayu Zhang Academic Degree Applied for： Master of Engineering Speciality： Materials Science Affiliation： Shenzhen Graduate School Date of Defence： June, 2011 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 - - I - 摘 要 硅纳米线阵列因其独特的电传输性质和优良的光吸收特性，从而在太阳 能电池制造领域得到了广泛的应用。通过采用反应离子刻蚀和金属催化腐蚀 方法制备可应用于太阳能电池中的硅纳米线阵列，并对其进行了较为系统的 表征。 首先，本课题对应用反应离子刻蚀制备硅纳米线阵列的方法进行了研究。 刻蚀前期的工作是制备单分散层掩模板，系统研究表面活性剂和提拉速度等 因素对二氧化硅掩模板的影响，并最终得到了制备单分散层的最优的工艺参 数为 NH3：0.75mol/L、H2O：4.0mol/L、TEOS：0.2mol/L、提拉速度 5mm/min。 之后本课题在前期工作的基础上应用反应离子刻蚀成功制备出规则的硅纳米 线阵列结构。反应离子刻蚀相对于其他刻蚀方法，具有刻蚀速率快、刻蚀各 向异性等特点，但成本相对较高。 其次，在研究应用金属催化腐蚀制备硅纳米线阵列方面，本文着重对刻 蚀剂中硝酸银浓度、氢氟酸浓度以及刻蚀时间等因素对硅纳米线阵列形貌的 影响进行了较为深入的研究。实验结果表明：在 AgNO3：25mM、HF：30%、 刻蚀时间 15min 的条件下，可制备出均匀、致密的硅纳米线阵列，且硅纳米 线的长度可通过改变实验参数来控制。通过对硅纳米线进行拉曼光谱和反射 率的测试结果表明：制备出的硅纳米线阵列具有拉曼增强效应和良好的减反 射特性。与反应离子刻蚀相比此方法具有操作简单、成本低及对设备要求低 等优点。 最后，为了硅纳米线阵列在太阳能电池应用研究工作的进一步开展，又 基于硅纳米线阵列在 300-800nm 波段具有优异的减反射性能，本课题尝试将 制备出的硅纳米线阵列应用于太阳能电池中。 关键词：硅纳米线阵列；太阳能电池；反应离子刻蚀；化学腐蚀法 - - II - Abstract At pr esent, nanowire arrays ba sed on silicon h ave un ique e lectronic transport pr operties and good a bsorption c haracteristics, w hich m ake it be en widely a pplied i n s olar c ells. I n this s tudy, the pr eparation and m orphology characterization of silicon nanowire arrays have been carried out systematically. RIE and chemical etch methods are used to prepare silicon nanowire arrays, and its structure is applied to solar cells. Firstly, the p reparation of s ilicon n anowire a rrays b y m eans of r eactive i on etching is i nvestigated. T he preparation of m onodisperse mask l ayer is mainly focused on b efore e tching. T he influence of s urfactant a nd t he pu lling r ate on silicon dioxide mask w as systematic s tudied a nd op timal pr ocess p arameters: NH3:0.75mol