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光注入法布里-珀罗半导体激光器的动态特性研究-光学工程专业论文.docxVIP

光注入法布里-珀罗半导体激光器的动态特性研究-光学工程专业论文.docx

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摘要 摘要 I I 摘要 半导体激光器技术近年来发展迅猛,半导体激光器的性能也在不断的提升, 因此被广泛用于光纤通信和高速光网络当中。随着现代光纤网络对高速度、高容 量、高带宽的日益需求,对半导体激光器的稳定性、线宽、调制带宽的要求也越 来越高。法布里-珀罗(F-P)半导体激光器在商用光纤网络已经得到广泛应用,但 是 F-P 半导体激光器是多模激光器,而且稳定性和调制带宽都不高,利用光注入 技术可以使 F-P 半导体激光器输出稳定的单模激光,同时提高其直接调制的 3dB 带宽。而且,光注入半导体激光器在光生微波中具有重要应用,光生微波是光载 无线通信(Radio-over-Fibre, RoF)系统中的核心技术之一。 本文介绍了半导体激光器的发展现状、光注入半导体激光器的发展现状及其 非线性状态的应用进展,对光注入半导体激光器运用半导体激光器速率方程介质 增益模型进行分析及数值仿真,并针对光注入 F-P 半导体激光器的非线性状态进 行了详细的研究和讨论,研究了光注入锁定半导体激光器在测量半导体激光器线 宽增强因子和改善半导体激光器 3dB 调制带宽方面的应用。主要内容如下: 1. 利用半导体激光器的速率方程结合介质增益模型对注入锁定过程理论分 析,对注入锁定过程中光子数密度和载流子数密度变化进行了数值仿真; 2. 研究了注入锁定过程当中各个参量对注入锁定的不同影响,在实验上论证 了注入锁定的主从激光器频率正失谐和负失谐的差异性,并对注入锁定后 F-P 半 导体激光器输出光的光谱和功率作了详细讨论,对光注入半导体激光器的各个非 线性状态进行了研究,绘制了在不同注入功率和不同频率失谐下的非线性状态的 分布点图; 3. 对光注入锁定半导体激光器的应用作了初步研究,利用光注入半导体激光 器时锁定状态的不对称性,测定在一定工作电流下的半导体激光器的线宽增强因 子,利用光注入锁定对直调激光器的频率响应的改善,分析了注入光功率和主从 激光器失谐对 F-P 半导体激光器频率响应的不同影响;利用光注入激光器产生频 率可调谐的微波信号。 关键词:半导体激光器,注入锁定,速率方程,调制带宽 ABSTRACT ABSTRACT II II ABSTRACT In recent years, the rapid development of semiconductor laser technology and the continuous improvement performance of semiconductor lasers make it widely used in fiber-optic communications and high-speed optical networks. With the increasing demand for high-speed, high-capacity and high-bandwidth of modern fiber optic network, the requirements of the semiconductor laser’s stability, linewidth and modulation bandwidth is also growing. Fabry-Perot ( F-P ) semiconductor laser has been widely used in commercial fiber network, but the output of F-P semiconductor laser is multimode, and the stability and modulation bandwidth is not so high, optical injection can let the output of a F-P semiconductor laser stability and single-mode, while increasing its direct 3dB modulation bandwidth. Optical injection in semiconductor laser has important applications in microwave creation, which is one of the key technologies in the Radio-over-Fibre ( RoF ) system. This thesis first introduces the development of semiconductor laser, optical injection in semiconductor and

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