含Bi化合物铁电薄膜的阻变特性和电畴侧向运动-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

A b A b s tr a C t F e r ro e le e trie m e m o rie s h a v e a t tra e te d sig n if ic a n t a t te n tio n s in P a st y e a rs f o r th e a d v a n ta g e s o f f ast w r itin g /re a d in g sP e e d ， lo w P o w e r e o n su m P tio n ， a n d h ig h 一d e n sity in te g ra tio n . H o w e v e 几 th e e a P a e ito r b a se d m e m o rie s h a v e so m e sh o r tc o m in g s . T h e a re a o f th e e a P a e ito rs 15 to o la r g e to se a le th e m u P to g ig a b it d e n sity d e v ie e s，a n d a re sto r in g P u lse 15 re q u ire d a f te r a d e stru c tiv e re a d o u t. R e e e n tly ，th e n o n 一d e stru e tiv e re a d o u t o f th e b in a ry in f o r m a tio n 15 P o ssib le f ro m th e b iP o la r sw ite h in g b e tw e e n h ig h 一a n d lo w 一e o n d u e ta n e e o f a f er ro e le e trie d io d e u n d e r tw o o P P o s ite P o la r iz a tio n d ire e tio n s . S u e h m e m o r y h a s m a n y im P o r ta n t P ro P e r tie s ，su e h a s t he u ltra f ast o P e ra tin g sP e e d d e P e n d in g o n th e P o la riz a tio n f liP P in g tim e a n d th e h ig h ra tio o f re sista n e e in th e f o r w a rd a n d re v e rs e d ire e tio n s . M o st o f th e resistiv e sw iteh in g e ffe ets are b a sed o n a eertain tyP e o f d e feet (io n ie o r eleetro n ie) m ed iated P h en o m en o n . 5 0 it 15 d iffi eu lt to co n tro l th e sw itch in g b eh av io r in P re e ise . O n th e e o n tra r y， f er ro re sistiv e sw ite h in g b e h a v io r 15 b a se d o n th e in trin sie sw ite h in g o f f er ro e le e trie d o m a in s w ith o u t in v o k in g o f e h a rg e d d e f ee t m ig ra tio n . A s a re su lt，it m a y P o sse s s a n e sse n tia l m e rit o v e r d e f ee t一m e d ia te d m e e h a n ism s f o r a e h ie v in g re lia b le P e rf o r m a n e e re q u is ite f or e o m m e re ia l P ro d u c tio n . In th is w o r