亥姆霍兹线圈仿真模拟和1,2-二氯苯的电子贴附解离实验研究-物理化学专业论文.docxVIP

亥姆霍兹线圈仿真模拟和1,2-二氯苯的电子贴附解离实验研究-物理化学专业论文.docx

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中国科学技术大学硕士学位论文 中国科学技术大学 硕士学位论文 亥姆霍兹线圈仿真模拟和1,2一二 氯苯的电子贴附解离实验研究 作者姓名: 宣传进 学科专业: 物理化学 导师姓名: 田善喜教授 完成时间: 二。一五年五月 万方数据 U U n iversity of Science and Tech nology of Ch i na A d issertation for master’S deg ree S i mu I at i on of He I mho I tz CO i I S and DEA Expe r i ment of 1,2一C6H4CZ2 Author’S Name: Chuan-j in Xuan Specialty: Physical Chemistry 一 Supervisor: Prof.Shan.Xi Tian Finished May,2015 万方数据 中国科学技术大学学位论文原创性声明本人声明所呈交的学位论文,是本人在导师指导下进行研究工作所取得的成 中国科学技术大学学位论文原创性声明 本人声明所呈交的学位论文,是本人在导师指导下进行研究工作所取得的成 果。除己特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含任何他人已经发表或撰写 过的研究成果。与我一同工作的同志对本研究所做的贡献均己在论文中作了明确 的说明。 作者签名:鲨[鱼建 签字日期:j盗心。』么上生产 中国科学技术大学学位论文授权使用声明 作为申请学位的条件之一,学位论文著作权拥有者授权中国科学技术大学拥 有学位论文的部分使用权,即:学校有权按有关规定向国家有关部门或机构送交 论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅,可以将学位论文编入《中国学 位论文全文数据库》等有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制 手段保存、汇编学位论文。本人提交的电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。 保密的学位论文在解密后也遵守此规定。 庐开 口保密(——年) 作者签名:适E盟逸作者签名:、1jf I互篮 导师签名: 签字日期:迦!茎:Q{:竺竺 签字日期:丛!j:2≤:望生 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 电子、离子和分子散射反应一直是分子物理和化学物理的重要研究领域之一。 一般情况下,当入射电子能量低于目标分子的电离阈值时(通常低于20eV),电 子和分子散射过程会发生电子贴附分子解离反应(DEA),期间生成中性碎片和 负离子碎片。通过测量负离子碎片的质谱以及动量分布图像,可以获得DEA过 程的动力学信息。本文主要包括: 第一章介绍低能电子.分子碰撞的研究背景、研究内容和相关理论。简要总 结了目前国际上几种研究低能电子.分子碰撞解离的实验方法。 第二章介绍我们实验室现有的用于DEA动力学研究的负离子速度成像装置。 由于新实验仪器中需要均匀度高、均匀空间大的磁场,我们结合MATLAB软件 和COMSOL的多物理场仿真软件对亥姆霍兹线圈的中心磁场空间均匀度和磁场 大小等进行了细致的模拟研究。 第三章简要介绍了超声分子束的基本原理、特点以及应用。接着介绍使用 SOLIDWORKS软件进行超声分子束机械设计以及装配细节。 第四章报道了基于荧光屏探测器的质谱方法,并研究邻位二氯苯的电子贴附 解离动力学机制。 关键字:电子一分子贴附解离,离子速度成像,亥姆霍兹线圈,超声分子束,邻 位二氯苯 万方数据 摘要 11 万方数据 AbstractElectron-molecule Abstract Electron-molecule collision is always one of the main subjects in atomic, molecular,and chemical physics.Dissociative electron attachment(DEA)Occurs in the low—energy collision of electron and molecule.In the DEA process,temporary negative ion(AB一)spontaneously decays through the dissociation to A and B— fragments.The details about the DEA dynamics Can be achieved by measurements of the momentum distribution of the anionic fragment B一.This thesis is composed of the following parts: In the first chapter,we introduce the background and t

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