氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液晶与显示 ３４ 　 １ 　　 Vol．３４　No．１ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１９ １ 　 　 　 Jan．２０１９ 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１９０１Ｇ０００７Ｇ０７ 氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD 沉积条件研究 ∗ , , , , , 万云海 邹志翔 林 亮 杨成绍 黄寅虎 王章涛 　 ( , ) 京东方科技集团股份有限公司合肥鑫晟工厂 合肥 ２３００１２ : ( , ) , 摘要 为实现氧化物 TFTIndiumGalliumZincOxideThinFilmTransistor IGZOTFT 特性的最优化 采用 IＧV数据 和 ( )图片研究蚀阻挡层( , )沉积条件与氧化物 特性的关系. SEM Scannin ElectronMicroscoe EtchＧSto LaerESL TFT g p p y 、 、 , , 通过调整沉积温度 正负极板间距 压力和功率 分析了PECVD沉积 ESLSiO２的成膜规律 并对所得到的TFT进行了 . , , . 特性分析 发现 ESL膜层致密性过差时 后期高温工艺会造成水汽进入 IGZO半导体膜层 从而引起 TFT特性恶化 、 而采用高温 高压力等方法取得高致密性的ESL膜层由于高强度等离子体对IGZO本体的还原反应也会致使TFT特性 . , , 劣化 结果表明 在保证膜层致密性前提下 等离子体对 IGZO本体伤害最小的ESL沉积条件才是最优化的ESL沉积 条件. : ; ; ; 关 键 词 氧化物半导体 薄膜晶体管液晶显示器 等离子体增强化学气相沉积法 刻蚀阻挡层 　 　 中图分类号: 文献标识码: : / TN１４１．９　　 A　　doi１０．３７８８YJYX０００７ EtchＧsto laer lasmachemicalenhanced p y p vaordeositionforoxidethinＧfilmＧtransistor p p ∗ , ,