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中国科技论文在线
通过侧墙及有源区刻蚀工艺优化提升55nm
器件工艺窗口的研究
*
5 201203
摘要：55 55LP
1. W/EMbist SRAM
2. W/E leakage 55LP
10 1. HCD
RTA2. AA corner rounding
3*sigma 55LP
15
关键词：
Research for 55nm Device Window Improvement by Spacer
and AA Etch process optimization
20 Gu Lin
(Shanghai Huali Microelectronics Corporation, Shanghai 201203)
Abstract: In 55nm low power (55LP) platform, device window is a long-term issue, including two
aspects: 1. device speed slow(Idsat small) induced wafer edge (W/E) Mbist fail (SRAM Memory
Bulit-in Self Test); 2. device speed fast(Idsat larger) induced W/E leakage fail. In this paper, two
25 mehtods are investigated to solve the above problems: 1. Spacer2 (HCD) process and rapid thermal
anneal(RTA) combined process optimization; 2. Active area (AA) etch corner rounding process. The
fisrt method can improve within wafer device uniformity. The second method can increase small
device speed and reduce overall leakage at the same time. By the above two methods, device window
can by improved by ~3*sigma. This researchwill have great benefit on 55LP products yield stability.
30 Keywords: Spacer; RTA; AA Etch; Device window
0 引言
55LP 虽是华力最成熟的产品平台，但由于部分工艺存在的一些固有特性，在这一成熟
35 平台中仍然会出
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