第三章-(3)-数据采集技术与输入输出接口-智能仪表.pptVIP

第三章数据采集技术与输入输出接口 主要内容 七、 频率相位信号的采集及其接口 八、 数据采集缓存器的设置与保护 七、 频率相位信号的采集及其接口 八、 数据采集缓存器的设置与保护 一般情况下，智能仪表总设置有一定容量的普通RAM（例如2～64KB） ，使用时分为三个区域，其中 (1)一个作堆栈， (2)一个作变量暂存区，存放各种数据处理变量，计算中 间结果，人机对话设置的仪表参数，程序处理中的必 要标志等， (3)第三个就是数据缓存区，它需要的容量往往比另两个 区都大，而且地址应该连续。 在RAM中设置一单块数据缓冲区是最简单的办法，一旦缓冲区处于使用数据状态，就不能接受数据输入，不能互相适应。 八、 数据采集缓存器的设置与保护 为此，通常使用的办法是设立多块缓冲区，或形成环形缓冲区，设置两个指针： a PI为输入数据采集指针，当PI由0～N-1时表示采集完毕，b P0为输出数据处理指针，当P0由0～N-1时表示处理完毕。在形成环形缓冲区情况时，任一指针不得顺时针超过另一指针。当P0赶上P1时，表征缓冲区已全满。 某些智能仪表需要长时间采集并保存(记录)大量的原始数据不丢失，以便以后进行综合分析处理。这时数据缓冲器的容量为主要指标，一般要求几MB甚至几十MB。FLASH存储器可以满足这种容量要求，并有很高的读写速度。但读写次数有限。 八、 数据采集缓存器的设置与保护 4、缓存区数据的保护 断电后，半导体RAM所存内容即刻丢失（上电后为随机数字）。而智能仪表的一些设定参数，状态变量甚至采集的数据是不能丢失的。因此要采取一定措施保护这些数据，这种针对着断电的措施叫做断电保护措施，常用方法有三种。 八、 数据采集缓存器的设置与保护 (1)．用仪表中单片机的待机低耗电源端进行保护控制 设置一掉电检测电路，对主电源进行监视，一旦主电源下降到一定程度便发出警告信号，引起中断，将程序转向“掉电保护服务程序”，该子程序负责将RAM中的重要数据转入内RAM之中。当主电源继续下降到一极限值时，检测电路将后备电源投入RST/VPD，使CPU处于复位状态，禁止任何随机现象对内部RAM的干扰，并供应待机状态的所需功耗。 八、 数据采集缓存器的设置与保护 (2)．用CMOS静态RAM芯片实施数据掉电保护 右图所示的电路，可以对CMOS静态RAM6116、6264等芯片的数据实施掉电保护，因为这类CMOS的SRAM静态功耗极低，且当电压在2～6V间波动时，所存数据可保持不变。图中总线缓冲器（正电平控制三态）直接由主电源控制，当主电源低于正逻辑后，缓冲器呈现高阻，电源在电阻和缓冲器串联电路上产生的分压压降为高电平，封锁RAM的片选、读/写控制端，保护RAM中的数据不受破坏。该保护电路的工作效果还依赖可靠的复位电路。 八、 数据采集缓存器的设置与保护 (3)．用非易失性存储器实施数据掉电保护 EEPROM简称E2PROM，它是电可擦除EPROM，即用电脉冲可把各位擦抹为1（全FFH） . 由于写入前要先进行电擦抹，因此写入时间很长，两个单元数据写入间隔时间为15ms左右。如果把它作为RAM，写入速度太低，不适用。但用以存放操作参数和特殊数据时，可保证在掉电后内容不丢失。 八、 数据采集缓存器的设置与保护 FLASH存储器除了用于存储程序代码外，还特别适合在智能仪表中用于非易失性数据存储，这一特性允许在程序运行时读取和存储设定参数、累计结果和标定系数这一类的数据。当智能仪表使用51系列单片机时，数据写入时用MOVX指令，读出时用MOVC指令。例如C8051F系列单片机内的FLASH存储器中有一个附加的128B的扇区，该扇区位于0x8000～0x807F()、0x2000～0x207F（C8051F2xx）或0x1000～0x1007F(C8051F02x)。对于C8051F00x/01x和C8051F2xx器件，该扇区可用于存储程序代码或数据；而对于C8051F02x器件，该扇区智能用于存储数据。这个附加的扇区由于容量较小，所以更适合作为统一的非易失性临时存储器。 八、 数据采集缓存器的设置与保护 应该注意，尽管FLASH存储器可以每次写一个字节，但必须首先擦除整个扇区。为了修改一个多字节数据集中的某一个字节，整个数据集必须首先被保存到一个临时存储区；然后将扇区擦除，更新数据集；最