霍尔传感器及磁敏二极管三极管原理及应用.docVIP

霍尔传感器及磁敏二极管三极管原理及应用.doc

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霍尔传感器·磁敏二极管 ·磁敏三极管的原理及应用 物理与电子技术学院 电子信息工程 霍尔传感器的原理及应用 传感器的概述 信息处理技术取得的进展以及微处理器和计算机技术的高速发展,都需要在传感器的开发方面有相应的进展。微处理器现在已经在测量和控制系统中得到了广泛的应用。随着这些系统能力的增强,作为信息采集系统的前端单元,传感器的作用越来越重要。传感器已成为自动化系统和机器人技术中的关键部件,作为系统中的一个结构组成,其重要性变得越来越明显。 霍尔传感器 1、霍尔传感器的定义 霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族,并已得到广泛的应用。霍尔器件是一种磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。 2、霍尔传感器的分类 按照霍尔器件的功能可将它们分为: 霍尔线性器件和霍尔开关器件 。前者输出模拟量,后者输出数字量。 (1)线形电路:它由霍尔元件、差分放大器和射极跟随器组成。其输出电压和加在霍尔元件上的磁感强度B成比例,它的功能框图和输出特性示于图1。 这类电路有很高的灵敏度和优良的线性度,适用于各种磁场检测。 图1 霍尔线性电路的功能框图 (2)开关电路:霍尔开关电路由稳压器、霍尔片、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成。在外磁场的作用下,当磁感应强度超过导通阈值BOP时,霍尔电路输出管导通,输出低电平。之后,B再增加,仍保持导通态。若外加磁场的B值降低到BRP时,输出管截止,输出高电平。我们称BOP为工作点,BRP为释放点,BOP-BRP=BH称为回差。回差的存在使开关电路的抗干扰能力增强。霍尔开关电路的功能框见图2。图2(a)表示集电极开路(OC)输出,(b)表示双输出。它们的输出特性见图5,图5(a)表示普通霍尔开关,(b)表示锁定型霍尔开关的输出特性。 (a) 单OC输出 (b)双OC输出 图2 霍尔开关电路的功能框图 3、原理 霍尔效应原理: 将一块半导体或导体材料,沿Z方向加以磁场,沿X方向通以工作电流I,则在Y方向产生出电动势,如图1所示,这现象称为霍尔效应。称为霍尔电压。 (a) (b) 图3 霍尔效应原理图 实验表明,在磁场不太强时,电位差与电流强度I和磁感应强度B成正比,与板的厚度d成反比,即 (1) 或 (2) 式(1)中称为霍尔系数,式(2)中称为霍尔元件的灵敏度,单位为mv / (mA·T)。产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子(N型半导体中的载流子是带负电荷的电子,P型半导体中的载流子是带正电荷的空穴)在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。 如图3(a)所示,一快长为l、宽为b、厚为d的N型单晶薄片,置于沿Z轴方向的磁场中,在X轴方向通以电流I,则其中的载流子——电子所受到的洛仑兹力为 (3) 式中为电子的漂移运动速度,其方向沿X轴的负方向。e为电子的电荷量。指向Y轴的负方向。自由电子受力偏转的结果,向A侧面积聚,同时在B侧面上出现同数量的正电荷,在两侧面间形成一个沿Y轴负方向上的横向电场(即霍尔电场),使运动电子受到一个沿Y轴正方向的电场力,A、B面之间的电位差为(即霍尔电压),则 (4)将阻碍电荷的积聚,最后达稳定状态时有 即 得 (5) 此时B端电位高于A端电位。 若N型单晶中的电子浓度为n,则流过样片横截面的电流 I=nebdV 得 (6) 将(6)式代入(5)式得 (7) 4.霍尔效应的副效应 在测量霍尔电压时,会伴随产生一些副效应,影响到测量的精确度,这些副效应是: (

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