硅酸镓镧及其同构体单晶的生长、电光及其它性能的研究-材料学专业论文.docxVIP

山东大学博士学位论文了平肩LGS晶体，其尺寸约@60mm×100mm。晶体完整透明无开裂和包裹体， 山东大学博士学位论文 了平肩LGS晶体，其尺寸约@60mm×100mm。晶体完整透明无开裂和包裹体， 呈深橙色。 参照LGS晶体的生长经验，采用提拉法先后生长得到LGT、LGN和STGS 晶体：开展了这些晶体相关性能的研究。 2．缺陷分析和光学质量表征 采用化学腐蚀法和同步辐射白光形貌术研究LGS晶体的缺陷。在(001)面 上观察到LGS晶体生长芯处位错腐蚀坑密集，在同步辐射形貌像中清晰观察到 晶体生长芯的存在。利用高分辨x射线衍射仪测量了晶体生长芯和周围区域的 摇摆曲线，发现生长芯处摇摆曲线和周围区域几乎相同，说明晶体生长芯并没 有发生结构上的变化，只是一个缺陷集中区。 利用同步辐射形貌像观察到晶体中的生长条纹、位错等缺陷，对其形成机 理和消除缺陷的相应措施进行了讨论。在晶体生长过程中，妥善控制生长温度 的变化，避免熔体温度波动，以及减少外界振动等因素对晶体生长稳定性的影 响，能够有效减少生长条纹的形成。 观察了LGS晶体的锥光干涉图，结果表明随着对晶体生长研究的深入展开， 生长的晶体光学质量有了大幅提高。生长的LGS晶体光学均匀性比早期LGS晶 体有了很大提高。 3．LGS晶体的物理性能 测试了室温至300。C的温度范围内LGS晶体的比热随温度的变化曲线，和晶 体热膨胀随温度的变化曲线。随温度的升高，LGS晶体的比热基本呈线性稍微增 大。室温下LGS晶体的比热为0．47J／g-。C；热膨胀系数d1I=5．8×10。6℃一，∞3=3，9 ×10’6℃一，，同KDP晶体相比，热膨胀系数较小。两方向的热膨胀系数相差不大， 说明晶体的热膨胀各向异性较弱，晶体不会因热效应的影响而容易开裂损坏， 这有利于晶体生长和应用。 测试了LGS晶体x面和Z面样品室温至600。C范围内，电容随温度的变化曲 线，并计算其介电常数为研』=25．97和c33=57．68。同DKDP(品=90)和LiNb03 (＆=84．6)晶体相比，LGS晶体具有较小的介电常数。测得LGS晶体的电阻率 pa=4．Ox 1012 Q．ClTI，小于LiNbOj(pb=2．O×1013 Q·cm)，但远大于DKDP晶体 山东大学博士学位论文 山东大学博士学位论文 (pc=1．3×10¨Q·cm)。 LGS晶体具有宽的透过波段和高透过率，其紫外吸收边在244nm波长左右， 高于400nm波长其透过率达到80％以上。光损伤阈值达到LiNbO，晶体的6．7倍 以上，具有较高的光损伤阈值。 使用干涉法测量了LGS晶体的电光系数，7Ii=2．3pm／V、341=1．Spm／V，虽 然LGS晶体的电光系数较DKDP晶体和LiNb03晶体低，但考虑到利用晶体的 横向电光效应制作电光Q开关，其半波电压可调，因此，LGS晶体在电光Q开 关应用方面具有很大的潜力。 总的来讲，测试的LGS晶体物理性能说明LGS晶体可以满足电光器件对晶 体的要求，而且该晶体机械性能好、无解理性、不潮解、物理化学性质稳定， 具有良好的综合性能。 4．LGS晶体电光Q开关 利用LGS晶体的电光系数Yll来制作Q开关，在制作电光Q开关时选择较 大的纵横比，来降低Q开关的半波电压。 电光Q开关工作过程中，平面偏振光往返两次沿光轴方向通过LGS晶体， 克服了LGS晶体旋光性的影响，并与激光在谐振腔内来回振荡的原理结合了起 来。LGS开关Q开关的静态消光Et和动态消光比测试结果表明，LGS晶体电光 Q开关适合采用正交偏光干涉原Nq-作，这样可以保证系统有最好的关门状态。 1 在LGS晶体和全反镜之间加一一／I,波片实现平行偏光干涉到正交偏光干涉的转 4 换。 实验发现，出射光强与晶体电感应主轴的方位和起偏器的偏振方向之间的 夹角无关、只和出射于旋光晶体平面偏振光的偏振方向与检偏器的偏振方向之 间的夹角有关。对器件的使用者而言，这就不用调整晶体的电感应主轴与起偏 器偏振方向之间的夹角，器件使用方便。 对LGS晶体电光Q开关进行了激光实验，取得了良好的实验结果，说明LGS 晶体光学质量及其他性能能够满足电光应用的要求，器件设计合理。同DKDP 和LiNb03晶体相比，LGS电光Q开关具有优越的性能．有广泛的应用前景a 5，LGT、LGN和STGS晶体的性能和Q开关实验 山东大学博士学位论文测试了LGS同构体单晶LGT、LGN和STGS晶体的比热、热膨胀系数、介 山东大学博士学位论文 测试了LGS同构体单晶LGT、LGN和STGS晶体的比热、热膨胀系数、介 电常数和光透过率等物理性能。LGT、LGN和STGS晶体的比热与LGS差不多， 说明他们的抗光损伤阈值也应比较接近：室温至300。C，几种晶体均随温度升蔼 出现不厨程度的热膨