硅烷化处理对钴铬合金防腐蚀性能的影响-口腔临床医学专业论文.docxVIP

原创性声明本人声明，所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 原创性声明 本人声明，所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。尽我所知，除了论文中特别加以标注和致谢的 地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包 含为获得中南大学或其他单位的学位或证书而使用过的材料。与我共 同工作的同志对本研究所作的贡献均已在论文中作了明确的说明。 作者签名： 】亟墨趣 日期：型盟旺月i日 学位论文版权使用授权书 本人了解中南大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有 权保留学位论文并根据国家或湖南省有关部门规定送交学位论文，允 许学位论文被查阅和借阅；学校可以公布学位论文的全部或部分内 容，可以采用复印、缩印或其它手段保存学位论文。同时授权中国科 学技术信息研究所将本学位论文收录到《中国学位论文全文数据库》， 并通过网络向社会公众提供信息服务。 作者签名：】亟墨邀导师签名： 丝 日期：吐旺月季日 ， 中文摘要摘要 中文摘要 摘要 目的：研究在不同硅烷水解pH值和电沉积时间下制备的DTMS硅 烷膜对钴铬合金防腐蚀性能的影响。 材料和方法：根据不同硅烷水解PH值(4～6)和电沉积时间(10～ 20min)将钴铬合金试件30个随机分入9个实验组和1个空白对照组， 用一0．8v阴极电位沉积技术在试件表面沉积制备硅烷膜，并采用电化 学腐蚀法模拟在口腔环境下对沉膜前后钴铬合金的自腐蚀电位、自腐 蚀电流密度进行测试。 结果： 1．拉曼光谱图可观察到一Si-o—Si一、-OCH。一、-CH。一、-CH：一、一SioH一、 -SiOC-等硅烷膜所含基团的伸缩振动峰。电子扫描显微镜显示试件 表面电沉积所制得的硅烷膜结构较为致密均匀，当浸泡于人工唾液 2周后成膜试件表面无明显变化，而未成膜试件表面则可见到大量 黑色腐蚀产物和腐蚀坑。 2．电化学腐蚀分析软件显示，硅烷化处理组的自腐蚀电位高于对照 组，自腐蚀电流密度均低于对照组，差别有统计学意义(PO．05)。 3．当电沉积时间一定时，不同的硅烷水解pH组之间的自腐蚀电位、 自腐蚀电流密度有显著差别(PO．05)，自腐蚀电位pH4组pH5组 pH6组，自腐蚀电流密度pH4组pH5组pH6。 4．当硅烷水解pH一定时，不同的电沉积时间组之间的自腐蚀电位、 自腐蚀电流密度有显著差别(PO．05)，自腐蚀电位15min组20min 组lOmin，自腐蚀电流密度15rain组20min组lOmin。 5．硅烷化处理组4-15(硅烷水解pH=4，电沉积时间T=15min)和其 余组的自腐蚀电位、自腐蚀电流密度的差别有统计学意义(P O．05)，其自腐蚀电位均高于其余组，自腐蚀电流密度均低于其余 组。 结论： 1．采用阴极电位沉积技术可在钴铬合金表面形成较为致密、均匀的硅 烷膜，其显著提高了钴铬合金的防腐蚀性能。 2．硅烷水解pH和电沉积时间对硅烷化处理后钴铬合金的防腐蚀性能 影响较大。在DTMS硅烷水解pH为4，电沉积时间为15min的硅烷 化处理条件下，钴铬合金的防腐蚀性能相对较好。 关键词硅烷化，钴铬合金，DTMS，电沉积，防腐蚀Ⅱ 关键词硅烷化，钴铬合金，DTMS，电沉积，防腐蚀 Ⅱ ABSTRACTObjecfive：Prepared ABSTRACT Objecfive：Prepared dodecyltrimethoxysilane(DTMS)silane films on Co．Cr alloy surface with electrochemical technology，and researched tlle锄ticorrosive property of Co．Cr alloy after silanization in different silane hydrolysis pH and electrodeposition time· Material and Method：According to different silane hydrolysis PH (4～6)and electrodeposition time(1 O～20min)，3 0 Co-Cr alloy specimens were randomly divided into nine experimental group and a c011trol group．Prepared silane films on the specimens surface under。0．8 v critical deposition potential，and test Ecorr and Icorr of Co-Cr alloy specimens before and after sila