过饱和度对KDP晶体生长及表面形貌的影响.pdf

第 45 卷第 7 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 45 ，No. 7 2 0 1 7 年 7 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY July ，2017 DOI ：10.14062/j.issn.0454-5648.2017.07.10 过饱和度对KDP 晶体生长及表面形貌的影响 1,2 1,2 1 3 1,2 1,2 李伟东 ，王圣来 ，于光伟 ，丁建旭 ，王端良 ，许心光 (1. 山东大学，晶体材料国家重点实验室，济南 250100 ；2. 山东大学，功能晶体材料及器件教育部重点实验室， 济南 250100 ；3. 山东科技大学材料科学与工程学院，山东 青岛 266590) 摘 要：采用原子力显微镜对 35 ℃附近，在不同过饱和度下生长的KDP 晶体(100)面生长台阶的推移进行了系统的研究，用 激光偏振干涉手段实时测量了 KDP 晶体(100)面的台阶推移速率与过饱和度之间的关系。结果表明：台阶的推移速率 ν 随过 饱度 σ 的增加而增大，过饱和度死区σ 和线性区 σ*的值分别为0.018 和 0.033 。当σ=0.07 时，晶体推移速率 ν增加变缓，进 d 入通过原点的线性区。台阶宽度随 σ 的增加呈现出先增大后降低的趋势，在σ=0.01 、0.05 和 0.08 时，台阶聚并程度和斜率都 高。σ=0.08 时，晶体表面出现树枝状支台阶。台阶推移方式在不同过饱和度区间内发生变化可能是影响台阶聚并程度和推移 速率的原因。 关键词：磷酸二氢钾晶体；溶液晶体生长；过饱和度；台阶推移速率 中图分类号：O781 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2017)07–0000–06 网络出版时间： 网络出版地址： Influence of Supersaturation on Growth and Surface Morphology of potassium dihydrogen phosphate Crystals 1,2 1,2 1 3 1,2 1,2 LI Weidong , WANG Shenglai , YU Guangwei , DING Jianxu , WANG Duanliang , XU Xinguang (1. State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China; 2. Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device (Shandong University), Ministry of Education, Jinan 250100, China; 3. College of Materials Science and Engineering, Shandong University of Science and Technology, Qingdao 266590, China) Abstract: The surface morphology of potassium dihydrogen phosphate (