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物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
May Acta Phys. -Chim. Sin. 2011, 27 (5), 1249-1253 1249
[Article]
化学气相沉积法制备Sn S 一维纳米结构阵列
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彭跃华 周海青 刘湘衡 何熊武 赵 丁 海 阔
周伟昌 袁华军 唐东升*
(湖南师范大学低维量子结构与调控教育部重点实验室, 物理与信息科学学院, 长沙410081)
摘要: 运用化学气相沉积法(CVD), 直接以Sn 和S 为原料分区加热蒸发, 通过控制温度分布、气压、载气流量
和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件, 成功制备大面积Sn S 一维纳米结构阵列. 扫描电子显微镜(SEM) 图
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片显示: Sn S 一维纳米结构的横向尺度在100 nm 左右, 长约几个微米. X射线衍射（XRD ）谱显示: 所制备样品
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的晶体结构属于正交晶系, 沿[002]方向生长. 紫外-可见漫反射谱表明Sn S 一维纳米结构是带隙为2.0 eV 的
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直接带隙半导体. 讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对Sn S 一维纳米结构生长的影响, 并指出其生长可能遵
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循气- 固(V-S)生长机理.
关键词: 一维纳米结构; 阵列; 化学气相沉积法; 三硫化二锡; 气- 固生长机理
中图分类号: O643; O649
Preparation of Sn S One-Dimensional Nanostructure Arrays by
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Chemical Vapor Deposition
PENG Yue-Hua ZHOU Hai-Qing LIU Xiang-Heng HE Xiong-Wu ZHAO Ding
HAI Kuo ZHOU Wei-Chang YUAN Hua-Jun TANG Dong-Sheng*
(Key Laboratory of Low-dimensional Quantum Structures and Quantum Control
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