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深圳市联拓辉电子有限公司 P MOS 4953 P MOS 4953 双 沟道增强型 管 PP MMOOSS 概述与特点 概述与特点 概概述述与与特特点点 � 概述：4953 内部包括两个独立的、P 沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻，适合用 LED 显 示屏,LED显示器驱动,也可用来做负载开关或者PWM开关。 封装图 主要特性 主要特性 主主要要特特性性 � 专业设计，RDS(ON)极小； � 耐用性和可靠性极强； � 封装形式：SOP8。 应用领域 应用领域 应应用用领领域域 � LED显示屏，LED显示器等； � 负载开关或者PWM开关 深圳市联拓辉电子有限公司 电气参数 电气参数 电电气气参参数数 25℃极限参数和热特性 参数 符号 范围 单位 漏源电压 VDS -30 V 栅源电压 VGS ±25 V 连续漏极电压 ID -4.9 A 脉冲漏极电压 IDM -30 A 2.5 TA=25 W （ ℃） 最大耗散功率 PD 1.0（TA=100℃） W 工作及存储温度 TJ,TSTG -55to150 ℃ 结环热阻 RQJA 59 ℃/W 一般电气特性： 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 静态参数 漏极击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=-250uA -30 V 4953漏极导通 RDS(ON) VGS=-5V,ID=-4.0A 85 100 mΩ 电阻 开启电压 VGS(TH) VDS=VGS, ID=-250uA -1.0 -1.5 -2.0 V 零栅压漏极电 IDSS VDS=-2.0V,VGS=0V -1 uA 流 漏极短路时截 IGSS VGS=±10V,VDS=0V ±80 nA 止栅电流 动态参数 栅极总电荷 QG 24