光子晶体激光器设计和有源层多量子阱的光学性质研究-微电子与固体电子学专业论文.docxVIP

光子晶体激光器设计和多量子阱有源层的光学性质研究光子晶体激光器设计和多量子阱有源层的光学性质研 光子晶体激光器设计和多量子阱有源层的光学性质研究 光子晶体激光器设计和多量子阱有源层的光学性质研究谶j：嬲’200叶手D岛‘。，。。 指导教师：昊惠桢研究员 。”’’o嚣‘E’“。 一、j‘▲ 摘要 在信息社会中，半导体激光器是一种重要的光电子器件。为了提高半导体 激光器的性能，本文将光子晶体结构引入半导体激光器中，利用光子晶体控制 光在器件中的传播行为，改善激光器的光场约束和反馈性能。同时本文用光致 荧光谱方法研究了应变(补偿)多量子阱的发光性质，并根据应变补偿多量予阱 增益谱的偏振选择性简化激光器L}·的光予晶体设计，从而优化激光器的结构设 计。 1．采用iF面波展开法研究2维三角形结构光子晶体的色散关系，得到了常见 半导体InP．InGaAsP基的光f品体的光子能带图和光子禁带图。从光于禁 带图可以得到不同禁带频率的InP，InGaAsP基的光子晶体的几何参数。 2．利用应变补偿多量子阱增益谱的偏振选择性特点，设计了带光予晶体 反射镜的脊波导麻变补偿多量子阱激光器，_蚪=J平面波基传递矩阵法系统 研究反射镜的反射率与光子晶体的对称力向、厚度、晶格常数和填充因 子的关系。计算结果显示对。J二FM入射的TE偏振光，光予晶体的厚度仅 为2 6fml时反射镜达到仝反射， 3根据l维光予晶体的有效折射牢理论和光子品体光}r模型研究了折射率 引导的高功率光予晶体垂直腔面发射激光器的单横模激射条件。DBR采 用lnGaAsP／InP结构，当品格常数“为5()／tilt，单个点缺陷构成光出射区 时，空气孔半径，’与品格常数比值，／n的临界值为0．28：当“=3．0pm，紧 邻的7个点缺陷构成光出射区时，，·／n的I临界值为0．【0， 4．采刚光敏荧光谱方法半定量地研究了应变多量子阱InAsP／InP和应变补偿多 量子阱[nAsP／InGaAsP在小同激发光功率和品格温度下的荧光谱性质，发 现应变补偿多黾子阱具有更好的温度稳定性，当温度上升到lSOKH寸桕对 荧光效率|降至EJ90％，丽对J二应变多量子阱，这个转变温度卜降至r]50K。 因此廊变补偿多量子阱激光器可在更高温度下工作。 关键词：二}三导体激光器，光子品俸，平面波展开法，传递矩阵；上，光致荧光 谱，有效折射率，多量予阱，应变，应变补偿 中国科学院上海微系统与信息技术研究所硕士学位沦丈 光子晶体激光器设计和多量子阱有源层的光学性质研究Design 光子晶体激光器设计和多量子阱有源层的光学性质研究 Design of photonic crystal semiconductor lasers and study of optical properties of multi—quantum wells in active layers Huaping Lei(Microelectronics and solid state electronics) Directed by Professor Huizhen Wu Abstract In the iuformation society,semiconductor 1asers are important optoelectronie de‘ vices．For the improvement oflaser performance，photonic crystals(PCs)are introduced into the laser structures．PCs can control the propagation oflight in laser devices，which improves the optical con?nement and feedback in lasers．In addition，the emission per- formance has been studied for strained and strain-compensated MQWs by photolumi— nescence at different excitation light power and lattice temperature．The polarization of gain of strain—compensated MQWs simpli?es the design of PCs used in the lasers．The results can be applied to optimize the design of semiconductor lasers． 1．The dispersion relations of